Транзисторы

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FDS6679AZ Характеристики Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -13 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 9.3...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FDS8880 PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 11.6 A Тип корпуса SOIC Максимальное рассеяние мощности 2.5 W Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина...
Описание FDS8958A Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7/-5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 28/52...
Описание FDS8958B The FDS8958B is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. The device is well suited for low voltage and battery powered...
Показать еще 64 товара