Транзисторы

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание STGD18N40LZT4 Характеристики Структура - Максимальное напряжение кэ ,В 390 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 25 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.3 Управляющее напряжение,В 1.6 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S -...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание STGW35HF60WDA IGBT Discretes, STMicroelectronics Технология/семейство hf, planar Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А 150 Напряжение насыщения при номинальном...
Цена: по запросу
Описание STGW45HF60WDB Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.9 Управляющее напряжение,В 5.75 Мощность макс.,Вт 250 Крутизна характеристики,...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание STN83003 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание STP10NK60Z • Очень высокий уровень характеристики dv/dt Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом...
Описание STP10NK60ZFP Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 750 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В...
Описание STP11NK50ZFP • Очень высокий уровень характеристики dv/dt • Лавинное тестирование 100% • Минимизированный заряд затвора • Очень низкая внутренняя емкость • -55 to 150°C Operating junction temperature range Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В...
Описание STP12NM50FP MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Uси: 550 В; Iс(25°C): 12 А; Rси(вкл): 0.3 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета...
Описание STP26NM60N N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом...
Описание STP4NK80Z MOSFET, N TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Current, Id Cont 3A Resistance, Rds On 3.5ohm Case Style TO-220 (SOT-78B) Alternate Case Style SOT-78B Current, Idm Pulse 12A N-channel Gate Charge 22.5nC No. of Pins 3 Power, Pd 80W Resistance, Rds on @ Vgs =...
Описание STP4NK80ZFP Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.5 ом при...
Описание STP55NF06 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Описание STP5NK100Z The STP5NK100Z is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. This new SuperMESH™ Power MOSFET is the result of further design improvements on ST's well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to significantly lower...
Описание STP5NK80ZFP Транзисторы семейства SuperMesh (серия NK) отличаются малым сопротивлением сток-исток в открытом состоянии, поэтому меньше нагреваются и могут использоваться с малогабаритными радиаторами. Также транзисторы SuperMesh отличаются наличием встречных защитных стабилитронов...
Описание STP60NF06 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Описание STP62NS04Z N-Channel STripFET™, STMicroelectronics Структура n-канал Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.015 ом при 30a, 10в Вес, г 2.5
Описание STP65NF06 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Описание STP6N62K3 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 620 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.2 ом при 2.8a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси...
Показать еще 128 товаров