Транзисторы

Цена: по запросу
Описание SPA11N60C3XKSA1 Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET Maximum Operating Temperature +150 °C Maximum Continuous Drain Current 11 A Package Type TO-220FP Maximum Power Dissipation 33 W Mounting Type Through Hole Width 4.85mm Height 9.83mm Dimensions...
Описание SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3 является N-канальным CoolMOS™ силовым МОП-транзистором 800В с низким уровнем сопротивления в активном состоянии. CoolMOS™ МОП-транзистор обеспечивает существенное снижение потерь проводимости, переключения и привода, а так же высокую плотность мощности...
Описание SPA20N60C3XKSA1 Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 190 мОм Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный...
Описание SPP11N60C3XKSA1 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 380...
Описание SPP17N80C3XKSA1 Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии...
Описание SPP20N60C3XKSA1 MOSFET, N, TO-220 TUBE 50; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 650V; Current, Id Cont: 20.7A; Resistance, Rds On: 0.19ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 3V; Case Style: TO-220; Termination Type: Through...
Описание SPP20N60S5XKSA1 Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 160 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток...
Описание SPW11N80C3FKSA1 Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии...
Описание SPW17N80C3FKSA1 MOSFET, N, COOLMOS, TO-247; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 800V; Current, Id Cont: 17A; Resistance, Rds On: 0.29ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 3V; Case Style: TO-247; Termination Type: Through...
Описание SPW20N60C3FKSA1 Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом...
Описание SPW47N60C3FKSA1 Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 47 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание SS8550CBU Small Signal PNP Transistors, Up to 30V, Fairchild Semiconductor Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание SS9014CBU SS9014CBU является эпитаксиальным, кремниевым NPN транзистором для использования в предусилителях, низкоуровневых и малошумящих устройствах. • Высокое значение общей мощности рассеивания • Высокий уровень hFE и хорошая линейность • Дополнение к SS9015...
Цена: по запросу
Описание ST13005A Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4 Статический...
Описание ST13007 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание ST13007DFP Структура npn с диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический коэффициент...
Цена: по запросу
Описание ST13009 The ST13009 is a NPN fast-switching Power Transistor manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a hollow emitter structure to enhance switching speeds. • Low spread of dynamic...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание STB140NF75T4 N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 120 А Тип корпуса D2PAK...
Описание STB28NM50N Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 21 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.158 ом при 10.5a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси...
Описание STB55NF06T4 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Цена: по запросу
Описание STD10NM60N MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание STD2NK90ZT4 MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 900 В; Iс(25°C): 2.1 А; Rси(вкл): 5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 900 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений...
Описание STD5NK50ZT4 MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 4.4 А; Rси(вкл): 1.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета...
Описание STD60NF06T4 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Цена: по запросу
Описание STF10NM60N N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом...
Цена: по запросу
Описание STGB10NB37LZ Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 425 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 2.4 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 18...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 128 товаров