Дискретные полупроводники :: Транзисторы

MMBTA06LT1G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а, 0.225вт

Цена: по запросу

Описание MMBTA06LT1G The MMBTA06LT1G is a 80V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications. • Halogen-free/BFR-free • 80VDC Collector to base voltage (VCBO) • 4VDC Emitter to base...

MMBTA06LT3G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA06Q-7-F, транзистор общего применения биполярный npn 80в 0.5a 3-pin sot-23 лента на катушке

Цена: по запросу

MMBTA06WT1G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA13, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 1.2 а

Цена: по запросу

MMBTA13-7-F, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 0.3 а

Цена: по запросу

MMBTA13LT1G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 0.3 а

Цена: по запросу

MMBTA14, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 1.2 а

Цена: по запросу

MMBTA14LT1G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 0.3 а

Цена: по запросу

MMBTA28, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 0.8 а

Цена: по запросу

MMBTA28-7-F, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а, 0.35 вт

Цена: по запросу

MMBTA92,215, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.1 а

Цена: по запросу

MMBTA92-7-F, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA92LT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 0.25 вт

Цена: по запросу

Описание MMBTA92LT1G The MMBTA92LT1G is a PNP high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in a package which is designed for low power surface-mount applications. • AEC-Q101 qualified and PPAP capable Структура pnp...

MMBTA92LT3G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMDT3904, транзистор одиночный биполярный

£0.02

MMDT3904-7-F, биполярный транзистор сборка 2 npn 40в 0.2a sot363

Цена: по запросу

MMDT3906-7-F, trans 2pnp 40v 0.2a sot363

Цена: по запросу

MMDT3946-7-F, trans npn/pnp 40v 0.2a sot363

Цена: по запросу

MMF60R360PTH, транзистор полевой n-канальный 600в 11а 31вт

В наличии

£0.61

MMG450WB120B6TN, igbt модуль 1200в, 450a, econo dual 3

Цена: по запросу

MMG450WB170B, igbt модуль 1700в, 450a, econo dual 3

Цена: по запросу

MMG600WB170B, igbt модуль half bridge 1700в 600а

Цена: по запросу

MMG600WB170B6E4N, igbt модуль half bridge 1700в 600а

Цена: по запросу

MMG600WB170B6EN, igbt модуль half bridge 1700в 600а

Цена: по запросу

MMJT350T1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMST2222A-7-F, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MMST2222AT146, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6a

Цена: по запросу

MMST2907A-7-F, trans pnp 60v 0.6a sc70-3

Цена: по запросу

MMST3904-7-F, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.2 а

Цена: по запросу

MMST3904-TP, биполярный транзистор npn 40в 0.2a sot323

Цена: по запросу

MMST4401-7-F, trans npn 40v 0.6a sc70-3

Цена: по запросу

MMST5401-7-F, биполярный транзистор, pnp, 150 в, 0.2 а

Цена: по запросу

MMST5401-TP, trans pnp 150v 0.2a sot323

Цена: по запросу

MMST5551-7-F, биполярный транзистор npn 160в 0.2a sc70-3

Цена: по запросу

MMST5551-TP, биполярный транзистор npn 160в 0.2a sot323

Цена: по запросу

MMSTA42-7-F, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.2 а

Цена: по запросу

MMUN2111LT1G, цифровой биполярный транзистор pnp, 50 в, 0.1 а, 0.246 вт, 10 ком+10 ком

Цена: по запросу

Описание MMUN2111LT1G The MMUN2111LT1G is a PNP Bipolar Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base...

MMUN2112LT1G, цифровой биполярный транзистор pnp, 50 в, 0.1 а, 0.246 вт, 22 ком+22 ком

Цена: по запросу

MMUN2113LT3G, цифровой биполярный транзистор pnp, 50 в, 0.1 а, 0.246 вт, 47 ком+47 ком

Цена: по запросу

MMUN2114LT1G, цифровой биполярный транзистор pnp, 50 в, 0.1 а, 0.246 вт, 10 ком+47 ком

Цена: по запросу

MN2488, биполярный транзистор, npn, 150 в, 10 а, 150 вт, (комплементарная пара mp1620)

Цена: по запросу

MPS2222AG, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MPS2907A, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MPS2907ARLG, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MPS751, trans pnp 60v 2a to-92

Цена: по запросу

MPS751G, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 2 а

Цена: по запросу

MPSA05G, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MPSA06, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

Описание MPSA06 The MPSA06 is a 80V NPN General-purpose Transistor designed for amplifier applications at collector current up to 300mA. This product is general usage and suitable for many different applications. Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и...

MPSA06G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MPSA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

Описание MPSA42 NPN TRANSISTOR 300V 0.5A TO92 Корпус TO-92-3 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...

MPSA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MPSA42G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MPSA44, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MPSA56G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MPSA92G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MPSA92RL1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MRF300AN, транзистор полевой mosfet n-канальный радиочастотный 133в 3-pin(3+tab) to-247 туба

Цена: по запросу

MRF300BN, транзистор полевой mosfet n-канальный радиочастотный 133в 3-pin(3+tab) to-247 туба

Цена: по запросу

MRF6V12250HR5, транзистор радиочастотный (rf fet)

Цена: по запросу

MRF6V2010NR1, транзистор радиочастотный (rf fet)

Цена: по запросу

MRFE6S9060NR1, полевой транзистор rf n-канальный 14вт to270-2

Цена: по запросу

MSB92ASWT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MSB92AWT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MSB92WT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MSD42WT1G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.15 а

Цена: по запросу

MSLSBC856BLT1G, транзистор одиночный биполярный

Цена: по запросу

MUN5112DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы pnp+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 22 ком+22 ком

Цена: по запросу

MUN5114DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы pnp+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+47 ком

Цена: по запросу

MUN5133T1G, цифровой биполярный транзистор pnp, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 4.7 ком+47 ком

Цена: по запросу

MUN5211DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+10 ком

Цена: по запросу

Описание MUN5211DW1T1G Dual Resistor Dual Digital Transistors, ON Semiconductor Структура 2 X npn с 2 резисторами Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50...

MUN5211T1G, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 10 ком+10 ком

Цена: по запросу

MUN5212DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 22 ком+22 ком

Цена: по запросу

MUN5212T1G, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 22 ком+22 ком

Цена: по запросу

MUN5214T1G, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 10 ком+47 ком

Цена: по запросу

MUN5216DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 4.7 ком+

Цена: по запросу

MUN5230T1G, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 1 ком+1 ком

Цена: по запросу

MUN5233DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 4.7 ком+47 ком

Цена: по запросу

MUN5234DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 22 ком+47 ком

Цена: по запросу

MUN5314DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+47 ком

Цена: по запросу

MUN5332DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт,4.7 ком+4.7 ком

Цена: по запросу

MUN5335DW1T2G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт,2.2 ком+47 ком

Цена: по запросу

NDC7001C, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 60 в

Цена: по запросу

NDC7002N, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 50 в, 510 ма

Цена: по запросу

NDC7003P, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 340 ма

Цена: по запросу

NDS9948, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 2.3 а

Цена: по запросу

Описание NDS9948 Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 500...