Дискретные полупроводники :: Транзисторы

MJD117T4G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 2 а

Цена: по запросу

MJD122-1, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD122G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD122T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 5 а, 20 вт

Цена: по запросу

MJD122TF, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD127G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а, 20 вт

Цена: по запросу

Описание MJD127G PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток...

MJD127T4, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а, 20вт

В наличии

€0.77

MJD127T4G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а, 20вт

Цена: по запросу

MJD127TF, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD200G, биполярный транзистор, npn, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

MJD200T4G, биполярный транзистор, npn, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

MJD210G, биполярный транзистор, pnp, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

MJD210RLG, биполярный транзистор, pnp, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

MJD210T4G, биполярный транзистор, pnp, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

MJD210TF, биполярный транзистор, pnp, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

MJD243G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 4 а

Цена: по запросу

MJD243T4G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 4 а

Цена: по запросу

MJD253-1G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 4 а

Цена: по запросу

MJD253T4G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 4 а, 12.5вт

Цена: по запросу

MJD2955G, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 10 а, 20 вт

Цена: по запросу

MJD2955T4G, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 10 а

Цена: по запросу

MJD3055T4, биполярный транзистор, npn, 60 в, 10 а, 20вт

Цена: по запросу

MJD3055T4G, биполярный транзистор, npn, 60 в, 10 а

Цена: по запросу

MJD31C-13, trans npn 100v 3a dpak

Цена: по запросу

MJD31C1G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а, 15w

Цена: по запросу

MJD31CG, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD31CQ-13, транзистор биполярный npn 100в 3a dpak

Цена: по запросу

MJD31CRLG, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD31CT4, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а, 15 вт

В наличии

€0.23

MJD31CT4-A, trans npn 100v 3a dpak

Цена: по запросу

MJD31CT4G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD31CTF, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD31T4G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD32CQ-13, trans pnp 100v 3a to252-3l

Цена: по запросу

MJD32CRLG, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD32CT4, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 3 а, 15вт

В наличии

€0.51

MJD32CT4-A, trans pnp 100v 3a dpak

Цена: по запросу

MJD32CT4G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 3 а, 1.56вт

Цена: по запросу

MJD32CTF, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD340G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MJD340T4, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а, 15 вт

В наличии

€0.33

Описание MJD340T4 NPN Power Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...

MJD340T4G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MJD340TF, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MJD350T4, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 15 вт

Цена: по запросу

MJD350T4G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 15 вт

Цена: по запросу

MJD350TF, trans pnp 300v 0.5a dpak

Цена: по запросу

MJD41CT4G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 6 а

Цена: по запросу

MJD42CG, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 6 а

Цена: по запросу

MJD42CT4G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 6 а, 20вт

Цена: по запросу

MJD44E3T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 10 а

Цена: по запросу

MJD44H11-1G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD44H11RLG, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD44H11T4, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а, 20 вт

В наличии

€0.45

MJD44H11T4G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD44H11TM, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD45H11G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а, 20 вт

Цена: по запросу

Описание MJD45H11G The MJD45H11G is a 8A PNP bipolar Power Transistor designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. • Electrically similar to popular D44H/D45H series • Fast...

MJD45H11RLG, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD45H11T4, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а, 20 вт

В наличии

€0.39

MJD45H11TM, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD50TF, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1 а

Цена: по запросу

MJD6039T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 4 а

Цена: по запросу

MJE13001, биполярный транзистор, npn, 400 в, 0.2 а, 0.75 вт

Цена: по запросу

MJE13001L-F-T92-K, биполярный транзистор, npn, 400 в, 0.2 а, 0.75 вт

Цена: по запросу

MJE13003, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1.5 а, 40 вт

Цена: по запросу

Описание MJE13003 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический...

MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт

Цена: по запросу

MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт

Цена: по запросу

MJE15033, транзистор биполярный pnp 250в 8a to220ab

€0.50

MJE2955T, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 10 а, 75 вт

В наличии

€0.51

Описание MJE2955T PNP Power Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 70 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...

MJE3055T, биполярный транзистор, npn, 60 в, 10 а, 75 вт

В наличии

€0.86

MJE340, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а, 20 вт

€0.98

Описание MJE340 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...

MJE350, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 20 вт

В наличии

€0.39

Описание MJE350 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...

MMBF170, транзистор полевой n-канальный 60в 0.5a, 0.225вт

В наличии

€0.02

MMBF4117, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF4118, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF4391, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF4391LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в

Цена: по запросу

MMBF4392, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF4392LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF4393, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF4393LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBF4393LT1G The MMBF4393LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications. • 30VDC Drain-source voltage • 30VDC Drain-gate voltage • 30VDC Gate-source voltage • 50mA Forward gate current Максимальная рабочая...

MMBF4393LT3G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF4416, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный

Цена: по запросу

MMBF5103, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF5457, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF5458, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF5458, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF5461, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 40 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF5461, полевой транзистор с управляемым p-n переходом

Цена: по запросу

MMBF5462, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 40 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF5484, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 10 ма, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ108, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ112, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ112 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 2.92мм Transistor Configuration Одинарный Емкость исток-затвор 28пФ Запирающий ток сток-исток Idss min. 5mA Производитель ON Semiconductor Емкость...

MMBFJ113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ175, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ175LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ176, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ176 P-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 2…25 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…4 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 250(max)...

MMBFJ177, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ177 Корпус TO236 Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 1.5…20 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.8…2.5 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 300(max) Максимальная рассеиваемая...

MMBFJ177LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ201, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ201 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 40 Ток утечки (Idss), мА 0.2…1 при Vds, В (Vgs=0) 20 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.3…1.5 при Id, нА 10 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 0.35...

MMBFJ202, полевой транзистор с управляемым p-n переходом n-канальный 40в 350мвт

Цена: по запросу

MMBFJ270, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ270_R1_00001, транзистор управляемый p-n переходом

Цена: по запросу

MMBFJ309LT1G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ310, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 10 ма, 0.35вт

Цена: по запросу

MMBFJ310LT1G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ310LT3G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в

Цена: по запросу

MMBFU310LT1G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBT2222A, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MMBT2222A,215, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

В наличии

€0.02

MMBT2222A-TP, биполярный транзистор npn 40в 0.6a sot23

Цена: по запросу

MMBT2222ALT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а, 0.225 вт

Цена: по запросу

Описание MMBT2222ALT1G Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 35, Коэффициент усиления по току, max 300 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном...

MMBT2222ALT3G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MMBT2222ATT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а, 0.15 вт

Цена: по запросу

MMBT2222AWT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MMBT2222AWT3G, биполярный транзистор npn 40в 0.6a sc70-3

Цена: по запросу

MMBT2222LT1G, биполярный транзистор, npn, 30 в, 0.6 а, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBT2369A, биполярный транзистор, npn, 15 в, 0.2 а

Цена: по запросу

MMBT2369ALT1G, биполярный транзистор, npn, 15 в, 0.2 а, 0.225 вт

Цена: по запросу

Описание MMBT2369ALT1G • Halogen-free • AEC-Q101 qualified and PPAP capable EU RoHS Compliant ECCN (US) EAR99 Part Status Active HTS 8541.29.00.95 Type NPN Product Category Bipolar Small Signal Material Si Configuration Single Number of Elements per...