Дискретные полупроводники :: Транзисторы

IXSH45N120, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 300 вт

Цена: по запросу

IXXH110N65C4, igbt 650v 234a 880w to247ad

Цена: по запросу

IXXH50N60C3, igbt 600v 100a 600w to247ad

Цена: по запросу

IXXH50N60C3D1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 100 а, 600 вт

Цена: по запросу

IXXH60N65C4, igbt 650v 118a 455w to247ad

Цена: по запросу

IXYN82N120C3H1, igbt-транзистор 1200в 105а 500вт

Цена: по запросу

J105, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J106, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J109, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J112, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

Описание J112 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 35 Ток утечки (Idss), мА 5(min) при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…5 при Id, нА 1000 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 50(max)...

J112G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

J112_D26Z, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

Описание J113 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 35 Ток утечки (Idss), мА 2(min) при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.5…3 при Id, нА 1000 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 100(max)...

J176_D74Z, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 350 мвт

Цена: по запросу

JMPL0648AK-13, транзистор полевой mosfet силовой 60в 23a 40мом p-канальный

€0.18

JMTL2305B, транзистор mosfet одиночный

€0.03

KF4N20LD-RTF/HS, транзистор полевой n-канальный 200в 3,6а 31вт

В наличии

€0.17

KRC104M, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.4 вт, 200 мгц, 47 ком+47 ком

В наличии

€0.03

KSC2383YTA, биполярный транзистор, npn, 160 в, 1 а, 0.9 вт, (комплементарная пара ksa1013)

Цена: по запросу

Описание KSC2383YTA Small Signal NPN Transistors, Over 100V, Fairchild Semiconductor Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160 Максимально...

KSC2682 Y, биполярный транзистор, npn, 180 в, 0.1 а, 1.28 вт, (комплементарная пара ksa1142)

Цена: по запросу

KSC3265YMTF, биполярный транзистор, npn, 25 в, 0.8 а

Цена: по запросу

Описание KSC3265YMTF Small Signal NPN Transistors, Up to 30V, Fairchild Semiconductor Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально...

KSC5039FTU, биполярный транзистор, npn, 400 в, 5 а, 30 вт

Цена: по запросу

KSC5042M, биполярный транзистор, npn, 1500 в

В наличии

€0.29

KSC5386, биполярный транзистор, npn, 1500 в, 7 а, 50 вт

Цена: по запросу

KSC5402DTF, биполярный транзистор, npn, 525 в, 2 а

Цена: по запросу

KSC5603DTU, транзистор биполярный npn 800в 3a to-220

Цена: по запросу

KSD1616AGBU, биполярный транзистор, npn, 60 в, 1 а

Цена: по запросу

KSE350STU, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

KSE44H11TU, биполярный транзистор, npn, 80 в, 10 а

Цена: по запросу

KSH127TF, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

KSH200TF, биполярный транзистор, npn, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

KSP2222ABU, биполярный транзистор, npn, 75 в, 0.8 а, 0.5 вт

Цена: по запросу

KST10MTF, биполярный транзистор npn 25в 50ма 350мвт кус не менее 60 не менее 650мгц

Цена: по запросу

KTA1046, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 3 а, 20 вт, (комплементарная пара ktc2026)

Цена: по запросу

Описание KTA1046 Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 3 Статический коэффициент передачи тока...

KTA1267, биполярный транзистор, pnp, 50 в, 0.15 а, р=0.2 вт

Цена: по запросу

KTA1268, биполярный транзистор, pnp, 120 в, 0.1 а, 625 мвт, (комплементарная пара ktc3200)

Цена: по запросу

KTA1273 Y, биполярный транзистор, pnp, 30 в, 2 а, 1 вт

В наличии

€0.08

KTB817-Y-U/P, биполярный транзистор, pnp, 160 в, 12 а, 100 вт, (комплементарная пара ktd1047)

В наличии

€0.83

KTC1027 Y, биполярный транзистор, npn, 120 в, 0.8 а, 1 вт, (комплементарная пара ktа1023)

Цена: по запросу

KTC1815-GR-AT/P, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.4 вт

В наличии

€0.02

KTC2026, биполярный транзистор, npn, 60 в, 3 а, 20 вт, (комплементарная пара кта1046)

Цена: по запросу

KTC3198GR, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.4 вт

В наличии

€0.02

KTC3198GR, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.4 вт

Цена: по запросу

KTC3199GR, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.2 вт

В наличии

€0.05

KTC3200GR, биполярный транзистор, npn, 120 в, 0.1 а, 625 мвт, (комплементарная пара ktа1268)

Цена: по запросу

KTC3207, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.1 а, 1 вт

В наличии

€0.41

KTC3209, биполярный транзистор, npn, 50 в, 2 а, 1 вт

В наличии

€0.16

KTC8050, биполярный транзистор, npn, 35 в, 0.8 а, 0.625 вт

Цена: по запросу

KTC8050S-D-RTK/P, биполярный транзистор, npn, 35 в, 0.8 а, 0.625 вт

В наличии

€0.02

KTC8550, биполярный транзистор, pnp, 35 в, 0.8 а, 0.625 вт

Цена: по запросу

Описание KTC8550 Характеристики Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.8 Статический...

KTC9013, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.5 а, 0.625 вт

Цена: по запросу

Описание KTC9013 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический...

KTC9014, биполярный транзистор, npn, 45 в, 0.1 а, 0.45 вт

В наличии

€0.15

KTC9015, биполярный транзистор, pnp, 50 в, 0.15 а, 0.625 вт

В наличии

€0.04

KTD2058 Y, биполярный транзистор, npn, 60в, 3а, 25 вт

В наличии

€0.35

KTD718-O + KTB688-O (пара), биполярный транзистор, npn, 120 в, 10 а, 80 вт, (комплементарная пара ktb688)

Цена: по запросу

KTD998-O, биполярный транзистор, npn, 120 в, 10 а, 80 вт, (комплементарная пара ktb778)

Цена: по запросу

Описание KTD998-O Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10 Статический...

L2N7002WT1G, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 0.115a sc-70-3

€0.01

LBC807-25LT1G, транзистор одиночный биполярный

€0.01

LBC807-40LT1G, транзистор одиночный биполярный

Цена: по запросу

LBC807-40WT1G, транзистор одиночный биполярный

€0.01

LBC817-40LT1G, транзистор одиночный биполярный

€0.01

LBC846BDW1T1G, сборка биполярных транзисторов

€0.02

LBC857BDW1T1G, сборка биполярных транзисторов

€0.02

LBC857BLT1G, транзистор одиночный биполярный

€0.01

LBC857CLT1G, транзистор одиночный биполярный

€0.01

LBSS123LT1G, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 0.17a 225мвт sot-23

€0.02

LBSS84LT1G, транзистор полевой mosfet p-канальный 50в 130ма 225мвт sot-23

€0.01

LM395T/NOPB, биполярный транзистор, npn, 36 в, 2.2 а

Цена: по запросу

Описание LM395T/NOPB Биполярные транзисторы - BJT ULTRA RELIABLE PWR TRANSISTOR Вид монтажа Through Hole Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT Максимальная рабочая температура + 125 C Минимальная рабочая температура 0 C Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO),...

LMBT2907ALT1G, транзистор одиночный биполярный

Цена: по запросу

LMBT3904LT1G, транзистор одиночный биполярный

€0.01

LMBT5401LT1G, транзистор одиночный биполярный

€0.01

LMBT5551LT1G, транзистор одиночный биполярный

€0.01

LMUN2111LT1G, транзистор одиночный цифровой

€0.01

LP395Z/NOPB, биполярный транзистор, npn, 36 в

Цена: по запросу

LS3954A, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный

Цена: по запросу

LU1014D, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 24 в, 50 а

Цена: по запросу

MBT35200MT1G, биполярный транзистор, pnp, 35 в, 2 а

Цена: по запросу

MCH6662-TL-W, сборка mosfet транзисторов

Цена: по запросу

MCQ4828A-TP, сборка mosfet транзисторов

Цена: по запросу

MD1802FX, биполярный транзистор npn 700в 10a isowatt218fx

В наличии

€0.94

MD200HFR120C2S, sic модуль, полумост, 1200в, 299а

Цена: по запросу

MD2103DFP, биполярный транзистор, npn, 1500 в, 6 а, 38 вт

В наличии

€0.28

MD2310FX, биполярный транзистор, npn, 700 в, 14 а

Цена: по запросу

MDD1752, транзистор полевой n-канальный 40в 50а 8.0 mohm

В наличии

€0.63

MDD1903RH, транзистор полевой n-канальный 100в 12.8а 36вт

В наличии

€0.98

MDD3752RH, транзистор полевой p-канальный 40в 43а 50вт

В наличии

€0.57

MDD7N25RH, транзистор полевой n-канальный 250в 6.2а 56вт

В наличии

€0.30

MDHT3N40, транзистор полевой n-канальный 400в 1.5а 2вт

В наличии

€0.14

MG100HF065TLC1, модуль igbt силовой

€25.39

MG100HF12LEC1, модуль igbt силовой

€25.53

MG100HF12TFC1, модуль igbt силовой

€30.50

MG150HF12TLC1, модуль силовой igbt

В наличии

€44.91

MG200HF12TLC2, модуль igbt силовой

€62.47

MG300HF12TFC2, модуль igbt силовой

€72.43

MG300HF12TLC2, модуль igbt 1200в 300а

В наличии

€65.28

MG300HF12TLE3, модуль igbt силовой

€81.45

MG450HF12TFC2, модуль igbt силовой

€109.82

MG450HF12TLC2, модуль igbt силовой

€105.38

MG450HF12TLE3, модуль igbt силовой

€95.45

MG75HF12TLC1, модуль igbt силовой

€25.37

MGC50D12A1-251H3, полумостовой модуль igbt 50а 1200в

В наличии

€38.61

MGC75D12A1-251H3, полумомтовой модуль igbt 150а 1200в

В наличии

€29.25

MGF0918A-03, полевой транзистор, радиочастотный

€4.72

MGF0920A-03, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MGF0921A-03, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MGF2415A-01, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MGF2445A-01, полевой транзистор, радиочастотный

€30.26

MGFC36V5258-51, полевой транзистор, радиочастотный

€78.37

MGFC47A4450-01, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MIDA-HB17AB-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

Цена: по запросу

MIDA-HB17AB-450N-P, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

Цена: по запросу

MIDA-HB17SA-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

Цена: по запросу

MIDA-HB17SG-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

Цена: по запросу

MIDA-HB17SG-600N, igbt модуль 1700в, 600а, полумостовой

Цена: по запросу

MJ11015G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200w

Цена: по запросу

Описание MJ11015G PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11016G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание MJ11016G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11032G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 50 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание MJ11032G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11033G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 50 а

Цена: по запросу

MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт

Цена: по запросу

MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт

Цена: по запросу

Описание MJ15003G NPN Power Transistors, ON Semiconductor Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 140 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...