Транзисторы

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFR9120NTRLPBF Вес, г 0.4
Описание IRFR9214TRPBF MOSFET, P, D-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -250V Current, Id Cont 2.7A Resistance, Rds On 3ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V Voltage, Vgs th Typ -4V Case Style DPAK Termination Type SMD Alternate Case Style TO-252 Current,...
Описание IRFR9310PBF The IRFR9310PBF is a -400V P-channel Power MOSFET designed for fast switching, rugged device design and low on-resistance. The DPAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU...
Описание IRFRC20PBF The IRFRC20PBF is a 600V N-channel Power MOSFET designed for fast switching, rugged device design and low on-resistance. The DPAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU series)...
Описание IRFS4115TRLPBF N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...
Описание IRFS4229TRLPBF MOSFET, N-CH, 250V, 45A, TO-263-3 Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 250 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 45 А, Сопротивление открытого канала (мин) 48 мОм Вес, г 2.5
Описание IRFS7440TRLPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 120 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0025...
Описание IRFS7730TRL7PP Корпус TO2637, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 240 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 мОм Вес, г 3
Описание IRFTS8342TRPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.2 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29...
Описание IRFTS9342TRPBF Характеристики Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -5.8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 66...
Описание IRFU024NPBF Корпус IPAK, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 75 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный...
Описание IRFU120NPBF The IRFU120NPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. • 175°C Operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Fully avalanche rated...
Описание IRFU9120PBF The IRFU9120PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The straight lead version is for through-hole mounting applications. Power dissipation...
Описание IRFU9310PBF Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 7 ом...
Цена: по запросу
Описание IRFZ14PBF The IRFZ14PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low...
Цена: по запросу
Описание IRFZ44ZPBF The IRFZ44ZPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and...
Описание IRFZ48NSTRLPBF MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage, Vds: 55V; Continuous Drain Current, Id: 64A; On Resistance, Rds(on): 14mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10V; Package/Case: D2-PAK Корпус TO263, Конфигурация и полярность N,...
Цена: по запросу
Описание IRG4BC20KDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
Описание IRG4BC20UD-SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 13 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.85 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 60 Крутизна характеристики, S 4.3...
Описание IRG4BC20UDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
Цена: по запросу
Описание IRG4BC30FPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 31 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S 10...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRG4PC30UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S...
Описание IRG4PC40FDPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
Описание IRG4PC40KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 42 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.1 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...
Описание IRG4PC40UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.72 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...
Цена: по запросу
Описание IRG4PC50SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.4 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 34...
Описание IRG4PC50UDPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
Цена: по запросу
Описание IRG4PC50WPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 55 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 41...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRG4PF50WDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 900 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 51 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...
Описание IRG4PH30KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.9 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S...
Описание IRG4PH30KPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.9 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S 6.5...
Описание IRG4PH40KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.4 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...
Цена: по запросу
Описание IRG4PH50KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.5 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...
Описание IRG4PH50UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.55 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...
Описание IRG4PH50UPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.2 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 35...
Описание IRG4PSC71UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 85 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики, S...
Показать еще 128 товаров