Транзисторы

Описание IRFP450APBF N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом...
Описание IRFP450PBF The IRFP450PBF is a 500V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Easy to parallel •...
Описание IRFP460APBF IRFP460APBF является силовым N-канальным МОП-транзистором HEXFET® 500В с низким зарядом затвора Qg для простых требований по управлению. Он работает на высокой частоте с устройствами жесткой коммутации. Подходит для импульсных источников питания и высокоскоростного...
Цена: по запросу
Описание IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF является N-канальным силовым МОП-транзистором 500В третьего поколения, который обеспечивает разработчика сочетанием быстрого переключения, прочностью исполнения и низкого сопротивления в активном состоянии. Корпус предназначен для поверхностного монтажа...
Описание IRFP460PBF IRFP460PBF является N-канальным силовым МОП-транзистором 500В третьего поколения, который обеспечивает разработчика сочетанием быстрого переключения, прочностью исполнения и низкого сопротивления в активном состоянии. • Динамический dV/dt • Повторяющиеся лавинные...
Описание IRFP9240PBF • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Easy to parallel • Simple drive requirement • Isolated central mounting hole Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -12...
Описание IRFPC50PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFPE40PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFPE50PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7.8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Цена: по запросу
Описание IRFPF40PBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2.5 ом...
Описание IRFPF50PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFPG50PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1000 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.1 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFPS37N50APBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 36 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.13...
Описание IRFPS3810PBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 170 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.009...
Описание IRFPS43N50KPBF N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 47 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом...
Описание IRFR024NTRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 75 мОм Вес, г 0.4
Цена: по запросу
Описание IRFR024TRPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.1 ом...
Описание IRFR1018ETRPBF Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 79 A Тип корпуса DPAK (TO-252) Максимальное рассеяние мощности 110 Вт Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 6.22мм Высота 2.39мм Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм...
Описание IRFR1205TRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 44 А, Сопротивление открытого канала (мин) 27 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Цена: по запросу
Описание IRFR120PBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.27 ом...
Описание IRFR120ZPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.19 ом...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFR24N15DTRPBF Вес, г 4
Цена: по запросу
Описание IRFR2607ZPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 45 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.022 ом...
Описание IRFR3410TRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 39 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Описание IRFR3707ZTRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 56 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.5 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Описание IRFR3910TRPBF The IRFR3910TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design,...
Описание IRFR4615TRLPBF The IRFR4615TRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits. • Fully characterized...
Показать еще 128 товаров