Транзисторы

Цена: по запросу
Описание IRFI620GPBF N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor Maximum Operating Temperature +150 °C Количество элементов на ИС 1 Transistor Configuration Одинарный Brand Vishay Maximum Continuous Drain Current 4 А Тип корпуса TO-220FP Maximum Power...
Описание IRFI640GPBF The IRFI640GPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound...
Описание IRFI840GPBF N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом...
Цена: по запросу
Описание IRFI9530GPBF The IRFI9530GPBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound...
Цена: по запросу
Описание IRFI9630GPBF Вес, г 2
Цена: по запросу
Описание IRFI9634GPBF P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor Максимальная рабочая температура +150 °C Количество элементов на ИС 1 Transistor Configuration Одинарный Типичное время задержки включения 12 нс Производитель Vishay Типичное время задержки...
Описание IRFIB6N60APBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFL014NTRPBF Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 160 мОм Вес, г 0.39
Описание IRFL014TRPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.2 ом...
Описание IRFL110TRPBF N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFL210TRPBF Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 960 мА Тип корпуса SOT-223 Максимальное рассеяние мощности 3,1 Вт Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 3.7мм Высота 1.8мм Размеры 6.7 x 3.7 x 1.8мм Материал...
Описание IRFL4310TRPBF The IRFL4310TRPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an...
Описание IRFL9014TRPBF The IRFL9014TRPBF is a -60V P-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is designed for surface-mounting using vapour phase,...
Описание IRFL9110TRPBF P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.1 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFP054PBF N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 70 A Тип корпуса TO-247AC Максимальное рассеяние мощности 230 Вт Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина...
Описание IRFP064PBF N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 70 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFP1405PBF N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFP22N50APBF N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 22 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом...
Описание IRFP22N60KPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 22 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.28 ом...
Описание IRFP240PBF IRFP240PBF является N-канальным силовым МОП-транзистором 200В третьего поколения, который обеспечивает разработчика сочетанием быстрого переключения, прочностью исполнения и низкого сопротивления в активном состоянии. • Динамический dV/dt • Повторяющиеся лавинные...
Цена: по запросу
Описание IRFP250PBF The IRFP250PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Easy to parallel •...
Описание IRFP260MPBF Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм...
Описание IRFP260PBF N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 49 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFP264PBF • Dynamic dV/dt rating • Ease of paralleling • Repetitive avalanche rated • Isolated central mounting hole • Simple drive requirements Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 38...
Описание IRFP27N60KPBF The IRFP27N60KPBF is a 600V N-channel SMPS MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency with hard switching application. Suitable for SMPS and high speed power switching and motor drive applications. • Enhanced...
Описание IRFP31N50LPBF The IRFP31N50LPBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with lower gate charge. • Superfast body diode eliminates the need for external diodes • Simple drive requirements • Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness • Higher gate voltage...
Описание IRFP32N50KPBF The IRFP32N50KPBF is a 500V N-channel SMPS MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency with hard switching application. Suitable for SMPS and high speed power switching and motor drive applications. • Enhanced...
Описание IRFP350PBF The IRFP350PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package provides greater creepage distances between pins to meet the requirements of most...
Описание IRFP360LCPBF • Reduced gate drive requirement • 30V VGS Enhanced rating • Reduced CISS, COSS, CRSS • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А...
Описание IRFP360PBF MOSFET, N, 400V, 23A, TO-247AC Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 400V Current, Id Cont 23A Resistance, Rds On 0.2ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-247AC Termination Type Through Hole Current, Idm...
Показать еще 128 товаров