Дискретные полупроводники :: Транзисторы

CEP09N7G, транзистор mosfet одиночный

70.88 ₽

CEP30N15L, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

CEP540N, транзистор mosfet одиночный

44.49 ₽

CEP740G, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

CF739E6610, полевой транзистор, n-канальный, 10 в, 80 ма, 0.24 вт, 1.75 ггц

В наличии

36.06 ₽

CF750, транзистор mosfet одиночный

60.59 ₽

CG2H40045P, транзистор радиочастотный (rf fet)

Цена: по запросу

CGH40120F, транзистор управляемый p-n переходом

Цена: по запросу

CJ2309, транзистор полевой p-канальный 60в 2ма, 0.35вт

Цена: по запросу

CJ2309A, транзистор полевой mosfet p-канальный 60в 1.6a 190мом

Цена: по запросу

CM1000DU-34NF#301, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM1000DXL-24S, биполярный транзистор igbt, 1000a, 1200v

22 651.23 ₽

CM100DU-24F, биполярный транзистор igbt, 100a, 1200v

Цена: по запросу

CM100DU-24NFH, биполярный транзистор igbt, 100a, 1200v

Цена: по запросу

CM100DY-13T, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM100DY-24A, биполярный транзистор igbt, 100a, 1200v

Цена: по запросу

CM100DY-34A, биполярный транзистор igbt, 100a, 1700v

Цена: по запросу

CM100DY-34T, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM100MXA-24S, модуль igbt 100a 1200в

Цена: по запросу

CM100TX-24S, биполярный транзистор igbt, 100 а, 1200 в

В наличии

8 616.13 ₽

CM1200DC-34N, igbt модуль 2 элемента 1200a 1700v

Цена: по запросу

CM150DX-24S, модуль igbt cm150dx-24s mit

5 919.88 ₽

CM150DX-34SA, биполярный транзистор igbt, 150 а, 1700 в

В наличии

3 877.88 ₽

CM150DY-24A, биполярный транзистор igbt, 150a, 1200v

Цена: по запросу

CM150DY-24T, модуль igbt силовой

3 865.77 ₽

CM150DY-34T, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM200DU-24F, биполярный транзистор igbt, 200a, 1200v

Цена: по запросу

CM200DU-24NFH, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM200DX-24S, модуль igbt cm200dx-24s mit

Цена: по запросу

CM200DY-12H, биполярный транзистор igbt, 200a, 600v

Цена: по запросу

Описание CM200DY-12H Характеристики Структура полумост Наличие схем управления/защиты в составе модуля нет Макс.напр.к-э,В 600 Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200 Максимально допустимый импульсный ток э,А 400 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/...