Дискретные полупроводники :: Транзисторы

IRF1404LPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 162a 3-pin(3+tab) to-262 туба

Цена: по запросу

IRF1404PBF, транзистор полевой n-канальный 40в 162а 200вт, 0.004 ом

В наличии

€0.65

IRF1404SPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 162a

Цена: по запросу

IRF1404STRLPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 162a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке

Цена: по запросу

IRF1404STRRPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 40в 162a d2pak

Цена: по запросу

IRF1404ZSPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75a

Цена: по запросу

IRF1404ZSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75a

Цена: по запросу

Описание IRF1404ZSTRLPBF Вес, г 2.5

IRF1405, транзистор полевой mosfet n-канальный si 55в 169a 3-pin(3+tab) to-220ab туба

Цена: по запросу

IRF1405SPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 131а 200вт

Цена: по запросу

IRF1405STRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 131a

Цена: по запросу

IRF1405ZSTRLPBF, полевой транзистор n-канальный 55в 150a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке

Цена: по запросу

IRF1407STRLPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 75в 100a d2pak

Цена: по запросу

IRF1503PBF, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 75 а

Цена: по запросу

Описание IRF1503PBF Структура n-канал Корпус to220ab Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 240 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id,...

IRF1503SPBF, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

IRF1503STRLPBF, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

IRF150P220, транзистор полевой mosfet n-канальный 150в 316a

В наличии

€10.31

IRF150P221XKMA1, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

IRF1607PBF, транзистор полевой n-канальный 75в 142а 380вт

Цена: по запросу

IRF200B211, транзистор полевой 80вт

В наличии

€0.29

IRF200P222, транзистор полевой mosfet n-канальный 200в 182a 3-pin(3+tab) to-247 туба

Цена: по запросу

IRF200P223, транзистор полевой mosfet n-канальный 200в 100a 3-pin(3+tab) to-247ac туба

Цена: по запросу

IRF200S234, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

IRF2204SPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 170a

Цена: по запросу

IRF250P224, транзистор полевой mosfet n-канальный 250в 128a 3-pin(3+tab) to-247ac туба

Цена: по запросу

IRF250P225, транзистор полевой mosfet n-канальный 250в 69a 3-pin(3+tab) to-247ac туба

Цена: по запросу

IRF2804LPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 40в 75a to-220-3

Цена: по запросу

IRF2804PBF, транзистор полевой n-канальный 40в 160а 330вт, 1.6 мом

В наличии

€1.37

IRF2804SPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75а 330вт

Цена: по запросу

IRF2805SPBF, полевой транзистор, n-канальный, 55 в, 135 а

Цена: по запросу

IRF2805STRLPBF, транзистор hexfet n-канал 55в 135а [d2pak]

Цена: по запросу

Описание IRF2805STRLPBF МОП-транзистор MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 135 A Тип корпуса D2PAK (TO-263) Максимальное рассеяние мощности 200 W Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 9.65мм...

IRF2807PBF, транзистор полевой n-канальный 75в 82а 200вт

В наличии

€0.52

IRF2903ZPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 75а 290вт

В наличии

€2.01

IRF2907ZPBF, транзистор полевой n-канальный 75в 75а 330вт

В наличии

€2.69

IRF3205SPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 110а 200вт, 0.008 ом

Цена: по запросу

IRF3315STRLPBF, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

IRF3415SPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 43a

Цена: по запросу

IRF360, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

IRF3703PBF, транзистор полевой n-канальный 30в 210а 230вт

Цена: по запросу

IRF3708PBF, транзистор полевой n-канальный 30в 62a

В наличии

€0.48

IRF3709ZPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 87а 79вт

В наличии

€0.50

Описание IRF3709ZPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 87 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0063 ом...

IRF3709ZSTRRPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 30в 87a d2pak

Цена: по запросу

IRF3710PBF, транзистор полевой n-канальный 100в 57а 200вт, 0.025 ом

В наличии

€0.49

IRF3710STRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 57a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке

В наличии

€1.05

Описание IRF3710STRLPBF MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 100V; Current, Id Cont: 57A; Resistance, Rds On: 23mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: D2-PAK; Termination Type: SMD Корпус TO263,...

IRF3710ZPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 59а 160вт

В наличии

€1.63

IRF3710ZSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 59a aвтомобильного применения 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке

В наличии

€1.69

IRF3805PBF, транзистор полевой n-канальный 55в 75a

В наличии

€0.98

IRF3805STRL-7PP, транзистор полевой mosfet n-канальный 55в 160a d2pak-7

В наличии

€3.46

IRF3808PBF, транзистор полевой n-канальный 75в 140а 340вт

В наличии

€1.13

Описание IRF3808PBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...

IRF3808STRLPBF, транзистор полевой n-канал 75в/106а/200вт/0.007 ом

В наличии

€2.01

Описание IRF3808STRLPBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...

IRF4104SPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75a

В наличии

€1.26

Описание IRF4104SPBF The IRF4104SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and...

IRF4104STRLPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75a

В наличии

€1.18

IRF4905PBF, транзистор полевой p-канальный 55в 74а 200вт

В наличии

€0.99

IRF4905STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 55в 42а 170вт

В наличии

€0.97

Описание IRF4905STRLPBF P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...

IRF520NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 9.7а 48вт, 0.20 ом

В наличии

€0.46

IRF520NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 9.7a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке

В наличии

€0.97

Описание IRF520NSTRLPBF D2PAK/100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A D2-PAK PACKAGE Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 200...

IRF5210PBF, транзистор полевой p-канальный 100в 40а 200вт, 0.06 ом

В наличии

€0.88

IRF5210STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 100в 38a

В наличии

€0.94

Описание IRF5210STRLPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...

IRF5305PBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт, 0.06 ом

В наличии

€0.43

IRF5305STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт

В наличии

€0.77

Описание IRF5305STRLPBF P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...

IRF530A, mosfet n-ch 100v 14a to-220

Цена: по запросу

Описание IRF530A IRF530A является N-канальным силовым МОП-транзистором 100В с надежными технологиями Avalanche и Gate Oxide. Он оснащен меньшей входной емкостью и улучшенным параметром заряда затвора. • Увеличенная зона безопасной работы • Уменьшенный ток утечки (10А при VDS = 100В) •...

IRF530NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 14а 88вт, 0.16 ом

В наличии

€0.31

IRF530NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 17а 3.8вт

В наличии

€0.52

IRF540NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 33а 140вт, 0.052 ом

В наличии

€0.39

IRF540NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 33а 3.8вт

В наличии

€0.37

IRF540ZLPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 36a to-262

В наличии

€0.55

IRF540ZPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 36а 92вт

В наличии

€0.63

IRF5801TRPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 0.6а 2вт

В наличии

€0.40

IRF5802TRPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 0.9а 2вт

В наличии

€0.27

IRF5803TRPBF, транзистор полевой p-канальный 40в 3.4а 2вт

В наличии

€0.20

IRF5851TRPBF, полевой транзистор, n/p-канальный, 20 в, 2.7 а

Цена: по запросу

IRF5852TRPBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 2.2 а, 0.09 ом

Цена: по запросу

Описание IRF5852TRPBF Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.09...

IRF6215PBF, транзистор полевой p-канальный 150в 13a

В наличии

€6.27

IRF6216TRPBF, транзистор полевой p-канальный 150в 2.2a

В наличии

€0.50

Описание IRF6216TRPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...

IRF6218PBF, транзистор полевой p-канальный 150в 27а 250вт

В наличии

€1.89

IRF630, транзистор полевой n-канальный 200в 9а 74вт, 0.4 ом

В наличии

€0.81

Описание IRF630 N-Channel STripFET™, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси...

IRF630NPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 9.3а 82вт, 0.3 ом

В наличии

€0.30

IRF630NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 9.3а 82вт

В наличии

€1.31

Описание IRF630NSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...

IRF640NPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 18а 150вт, 0.15 ом

В наличии

€0.37

Описание IRF640NPBF IRF640NPBF от компании International Rectifier является N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET 200В в корпусе TO-220AB. Данная особенность МОП-транзистора обеспечивает очень низкое сопротивление в активном состоянии, динамический dv/dt, быстрой процесс...

IRF640NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 18а 150вт

В наличии

€0.68

Описание IRF640NSTRLPBF MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current, Id: 18A; Package/Case: D2-PAK; Power Dissipation, Pd: 150W; Continuous Drain Current - 100 Deg C: 13A; Drain Source On Resistance @ 10V: 150mohm Корпус TO263, Конфигурация и...

IRF6645TRPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 5.7a

€1.69

IRF6727MTRPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 32a 7-pin direct-fet mx лента на катушке

В наличии

€1.27

IRF7101PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 3.5 а, 2 вт

Цена: по запросу

IRF7103PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 50 в, 3 а, 2 вт, 0.13 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7103PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 130...

IRF7103TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 50 в, 3 а, 2 вт

Цена: по запросу

IRF7104PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 20 в,2.3 а, 2 вт, 0.25 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7104PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 250...

IRF7105PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 25 в, 3.5 а/2.3 а,2 вт

Цена: по запросу

Описание IRF7105PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25/-25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5/-2.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...

IRF7201TRPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 7.3а 2.5вт

В наличии

€0.55

IRF7204, транзистор полевой modfet p-канальный 20в 5.3a

В наличии

€0.14

IRF7204TRPBF, транзистор полевой p-канальный 20в 5.3a

В наличии

€0.47

Описание IRF7204TRPBF Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный...

IRF7205TRPBF, транзистор полевой p-канальный 30в 4.6а 2.5вт

В наличии

€0.32

Описание IRF7205TRPBF Вес, г 0.15

IRF7207TRPBF, транзистор полевой p-канальный 20в 5.4a

В наличии

€0.37

IRF7210TRPBF, транзистор полевой p-канальный 12в 16a

В наличии

€0.72

Описание IRF7210TRPBF Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -12 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А ±16 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.007...

IRF7240TRPBF, транзистор полевой p-канальный 40в 10.5a

В наличии

€1.75

IRF7240TRPBF, транзистор полевой p-канальный 40в 10.5a

€0.26

IRF7301PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 5.2 а,2 вт,0.05 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7301PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.2 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50...

IRF7301TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 5.2 а

Цена: по запросу

IRF7301TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 5.2 а

Цена: по запросу

Описание IRF7301TRPBF The IRF7301TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely...

IRF7303PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 30 в, 4.9 а, 2 вт, 0.05 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7303PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50...

IRF7304PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 20 в, 4.3 а, 2 вт, 0.09 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7304PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 90...

IRF7304TR, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 4.3 а

Цена: по запросу

IRF7306PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 30 в, 3.6 а, 2 вт, 0.1 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7306PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 100...

IRF7307PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 5.2 а/-4.3 а, 2 вт, 0.05 ом/0.09 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7307PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20/-20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.7/-4.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...

IRF7309PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 4 а,/-3 а, 1.4w

Цена: по запросу

Описание IRF7309PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В ±30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.9/-3.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...

IRF7309TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 4 а,/-3 а

Цена: по запросу

IRF730PBF, транзистор полевой n-канальный 400в 5.5а 74вт, 1 ом

Цена: по запросу

Описание IRF730PBF • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • 150°C Operating temperature • Easy to parallel • Simple drive requirement Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5...

IRF7311PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 6.6 а, 2 вт, 0.029 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7311PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29...

IRF7313PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 6.5 а, 2w

Цена: по запросу

Описание IRF7313PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29...

IRF7313TRPBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 30 в, 6.5 а, 2 вт, 0.029 ом

Цена: по запросу

IRF7314PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 5.3 а, 2 вт

Цена: по запросу

Описание IRF7314PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -5.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 58...

IRF7316PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 30 в, 4.9 а, 2 вт, 0.058 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7316PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4.9 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 58...

IRF7316TR, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 4.9 а

Цена: по запросу

IRF7316TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 4.9 а, 2вт

В наличии

€0.44

Описание IRF7316TRPBF P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark...

IRF7317PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 6.6 а/5.3 а, 2вт

Цена: по запросу

Описание IRF7317PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В ±20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А ±6.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29/58...

IRF7319PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 2 вт

Цена: по запросу

Описание IRF7319PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30/-30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5/-4.9 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...

IRF7319TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в

Цена: по запросу

IRF7324PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 9 а, 2 вт

Цена: по запросу

Описание IRF7324PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -9.0 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 18...

IRF7328PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 8 а, 2.0 вт

Цена: по запросу

Описание IRF7328PBF Характеристики Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 21...

IRF7329PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 12 в, 9.2 а, 2w

В наличии

€0.59

IRF7329TRPBF, транзистор полевой p-канальный 12в 9.2a 8-pin soic лента на катушке

В наличии

€0.41

Описание IRF7329TRPBF MOSFET, DUAL P CH, -12V, -9.2A, SOIC-8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 12 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 17 мОм Максимальная рабочая...

IRF7331PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 7 а

Цена: по запросу

IRF7341PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 55 в, 4.7 а, 2 вт, 0.05 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7341PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50...

IRF7341QTRPBF, сборка полевых транзисторов, 2n-канальный, 55 в, 4.42 а, 2.4 вт, 0.05 ом

Цена: по запросу

IRF7341TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 55 в, 4.7 а, 2 вт

Цена: по запросу

IRF7342PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 55 в, 3.4 а, 2 вт, 0.105 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7342PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -3.4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 105...

IRF7343PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 55 в, 4.7 а/3.4 а, 2 вт, 0.05 ом/0.105 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7343PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55/-55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7/-3.4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...

IRF7343TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 55 в

Цена: по запросу

IRF7351PBF, сборка из полевых транзисторов, 60 в, n-канальный, 2 вт

Цена: по запросу

Описание IRF7351PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 17.8...

IRF7351TR, сборка из полевых транзисторов, mosfet 2n-канальный, 60 в, 8 а

Цена: по запросу