Транзисторы

Описание STB28NM50N Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 21 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.158 ом при 10.5a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси...
Описание STB55NF06T4 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Цена: по запросу
Описание STD10NM60N MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений...
Цена: по запросу
Показать еще 20 товаров