Москва
 
+7(495)740-30-77

Транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
20
RD100HHF1-101, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 50в 25а 176,5вт 30мгц tch=175°c
RD100HHF1-101, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 50в 25а 176,5вт 30мгц tch=175°c
Цена: по запросу
RD12MVS1-501, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 50в 4а 50вт 175мгц tch=150°c
RD12MVS1-501, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 50в 4а 50вт 175мгц tch=150°c
Цена: по запросу
RD15HVF1-101, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 4а 48вт 175мгц tch=150°c
RD15HVF1-101, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 4а 48вт 175мгц tch=150°c
В наличии
474.05 ₽
Описание RD15HVF1-101 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -...
RD15HVF1-501, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 4а 48вт 175мгц tch=150°c
RD15HVF1-501, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 4а 48вт 175мгц tch=150°c
Цена: по запросу
RD16HHF1-501, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 50в 5а 56,8вт 30мгц tch=150°c
RD16HHF1-501, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 50в 5а 56,8вт 30мгц tch=150°c
В наличии
509.98 ₽
Описание RD16HHF1-501 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -...
RD30HVF1, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 7а 75вт 175мгц tch=175°c (recommended replacement: rd35hup2)
RD30HVF1, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 7а 75вт 175мгц tch=175°c (recommended replacement: rd35hup2)
В наличии
1 977.81 ₽
RD35HUP2-501, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 40в 10а 166вт 530мгц tch=175°c
RD35HUP2-501, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 40в 10а 166вт 530мгц tch=175°c
В наличии
1 290.63 ₽
RD60HUF1-101, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 20а 150вт 520мгц tch=175°c
RD60HUF1-101, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 20а 150вт 520мгц tch=175°c
Цена: по запросу
RD70HHF1-101, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 50в 20а 150вт 30мгц tch=175°c
RD70HHF1-101, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 50в 20а 150вт 30мгц tch=175°c
В наличии
2 904.42 ₽
RD70HVF1-101, power mosfet кремний 175mhz 70w / 520mhz 50w
RD70HVF1-101, power mosfet кремний 175mhz 70w / 520mhz 50w
Цена: по запросу
RD70HVF1C, транзистор радиочастотный (rf fet)
Цена: по запросу
RJH3047DPK, биполярный транзистор igbt, 330 в, 50 а
RJH3047DPK, биполярный транзистор igbt, 330 в, 50 а
В наличии
263.23 ₽
RJH3077DPK, биполярный транзистор igbt, 330 в, 50 а
RJH3077DPK, биполярный транзистор igbt, 330 в, 50 а
Цена: по запросу
RJH30H1DPP, биполярный транзистор igbt, 360 в, 30 а, 40 вт
RJH30H1DPP, биполярный транзистор igbt, 360 в, 30 а, 40 вт
Цена: по запросу
RJH60F5DPK, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 260 вт
RJH60F5DPK, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 260 вт
Цена: по запросу
RJK5020DPK, полевой транзистор, n-канал, 500 в, 40 а, 200 вт
RJK5020DPK, полевой транзистор, n-канал, 500 в, 40 а, 200 вт
Цена: по запросу
RJK6015DPK, полевой транзистор, n-канал, 600 в, 21 а, 150 вт
RJK6015DPK, полевой транзистор, n-канал, 600 в, 21 а, 150 вт
Цена: по запросу
RJP3065DPP, биполярный транзистор igbt, 320 в, 40 а, 30 вт
RJP3065DPP, биполярный транзистор igbt, 320 в, 40 а, 30 вт
Цена: по запросу
RJP30E2DPP, биполярный транзистор igbt, 360 в, 35 а, 25 вт
RJP30E2DPP, биполярный транзистор igbt, 360 в, 35 а, 25 вт
Цена: по запросу
RJP30E3DPP, биполярный транзистор igbt, 360 в, 40 а, 30 вт
RJP30E3DPP, биполярный транзистор igbt, 360 в, 40 а, 30 вт
Цена: по запросу
Показать еще 20 товаров