Дискретные полупроводники :: Транзисторы

FQT2P25TF, полевой транзистор, p-канальный, 250 в, 0.55 а

Цена: по запросу

FQT3P20TF, транзистор полевой p-канальный 200в 0.67a

Цена: по запросу

FQT4N20LTF, транзистор полевой n-канальный 200в 0.85а 1.35 ом

Цена: по запросу

Описание FQT4N20LTF The FQT4N20LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching...

FQT4N25TF, транзистор полевой n-канальный 250в 0.83a

Цена: по запросу

FQT5P10TF, транзистор полевой p-канальный 100в 1a

Цена: по запросу

FQT7N10LTF, транзистор полевой n-канальный 100в 1.7a

Цена: по запросу

FQT7N10TF, транзистор полевой n-канальный 100в 1.7a

Цена: по запросу

FQU10N20CTU, полевой транзистор, n-канальный, 200 в, 7.8 а

Цена: по запросу

FQU11P06TU, транзистор полевой p-канальный 60в 9.4a

Цена: по запросу

Описание FQU11P06TU The FQU11P06 is a -60V P-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild's proprietary, planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior...

FQU13N06LTU, транзистор полевой n-канальный 60в 11a

Цена: по запросу

FQU13N10LTU, транзистор полевой n-канальный 100в 10a

Цена: по запросу

FQU17P06TU, транзистор полевой mosfet p-канальный 60в 12a ipak

Цена: по запросу

FQU1N60CTU, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 1 а

Цена: по запросу

FQU1N80TU, транзистор полевой mosfet n-канальный 800в 1a ipak

Цена: по запросу

FQU20N06LTU, транзистор полевой n-канальный 60в 17.2a

Цена: по запросу

FQU2N100TU, транзистор полевой n-канальный 1000в 1.6a

Цена: по запросу

FQU2N60CTU, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 1.9 а

Цена: по запросу

FQU3N50CTU, транзистор полевой n-канальный 500в 2.5a

Цена: по запросу

FQU5N40TU, полевой транзистор, n-канальный, 400 в, 3.4 а

Цена: по запросу

FQU5N60CTU, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 2.8 а

Цена: по запросу

FS45MR12W1M1B11BOMA1, модуль mosfet силовой

Цена: по запросу

FS75R12KE3BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в 105 а 350 вт

В наличии

24 644.85 ₽

Описание FS75R12KE3BOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...

FS8205A, транзистор полевой mosfet сборка 2n-канальный 20в 6a 1.5вт -55...+150°с sot-23-6

Цена: по запросу

FS820R08A6P2BBPSA1, igbt модуль n-канальный 750в 450а 714вт автомобильного применения 33-pin ag-hybridd-1 лоток

В наличии

116 882.16 ₽

FS820R08A6P2LBBPSA1, igbt модуль 750b 820а 33-pin hybridd-1

В наличии

117 556.41 ₽

FSB560, биполярный транзистор, npn, 60 в, 2 а

Цена: по запросу

FSB560A, биполярный транзистор, npn, 60 в, 2 а

Цена: по запросу

FSB660A, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 2 а

Цена: по запросу

FW389-TL-2W, полевой транзистор

Цена: по запросу

FZT1049ATA, биполярный транзистор, npn, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

FZT3019, биполярный транзистор, npn, 80 в, 1 а

Цена: по запросу

FZT489QTA, биполярный транзистор

Цена: по запросу

FZT493TA, биполярный транзистор, npn, 100 в, 1 а

Цена: по запросу

FZT605TA, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 1.5 а, 2вт

Цена: по запросу

G2R120MT33J, транзистор полевой n-канальный 3300в 34а

Цена: по запросу

G2R50MT33K, транзистор полевой n-канальный 3300в 63а

Цена: по запросу

G3R160MT12D, транзистор полевой n-канальный 1200в 19а 106вт

Цена: по запросу

G3R20MT12K, транзистор полевой n-канальный 1200в 100а

Цена: по запросу

G3R30MT12J, транзистор полевой mosfet sic n-канальый 1200в 96а, 459вт

Цена: по запросу

G3R30MT12K, транзистор полевой n-канальный 1200в 70а

Цена: по запросу

GC044N60QF, транзистор полевой n-канальный 600в 60a

Цена: по запросу

GD100CUY120C1S, модуль igbt силовой

3 274.64 ₽

GD100HFU120C1S, igbtмодуль 1200v, 100a 2 in one-package

В наличии

4 466.97 ₽

GD100HFX170C1S, модуль igbt 1700в 168a

В наличии

4 690.88 ₽

GD100HFY120C1S, igbt модуль 1200в 155а 511вт 150°с

В наличии

3 725.76 ₽

GD150CUY120C1S, модуль igbt 1200в 150а

В наличии

3 547.26 ₽

GD150HFU120C2S, модуль igbt 1200в 150а

В наличии

6 757.67 ₽

GD150HFX65C1S, модуль igbt силовой

4 782.60 ₽

GD150HFY120C1S, модуль igbt силовой

4 686.31 ₽

GD200HFU120C2S, модуль igbt 1200в 262а

В наличии

7 796.66 ₽

GD200HFX170C2S, модуль igbt 1700в 337a

В наличии

9 604.16 ₽

GD200HFX65C2S, модуль igbt 650в 247a

В наличии

5 922.51 ₽

GD200HFY120C2S, модуль igbt 1200в 200a

В наличии

7 232.08 ₽

GD225HFX170C6S, модуль igbt силовой

11 785.04 ₽

GD25FFK120C5SP, модуль igbt 1200в 25а

6 348.98 ₽

GD300HFU120C2S, модуль igbt 1200в 395а

В наличии

9 598.64 ₽

GD300HFX120C2S_B36, модуль igbt силовой

8 307.54 ₽

GD300HFX170C2S, igbt модуль 1700b 300а 2 in one-package 62мм

В наличии

11 024.11 ₽

GD300HFX170C6S, igbt модуль 1700b 300а 2 in one-package

12 041.68 ₽

GD300HFX170C6S, igbt модуль 1700b 300а 2 in one-package

В наличии

12 041.68 ₽

GD300HFY120C2S, модуль igbt 1200в 600a, 150°c 2.941квт

В наличии

10 288.02 ₽

GD300HFY120C6S, igbt модуль 1200b 300а 2 in one-package

В наличии

10 540.28 ₽

GD400HFU120C2S, модуль igbt 1200в 400a

В наличии

10 371.76 ₽

GD400HFX170C2S, модуль igbt 1700в 648a

В наличии

11 611.04 ₽

GD400HFY120C2S, модуль силовой igbt полумостовой 1200в, 400а, +175°c

В наличии

8 915.70 ₽

GD40PIY120C5S, модуль igbt силовой

3 307.59 ₽

GD450HFX170C6S, igbt модуль 1700b 450а 2 in one-package

В наличии

16 054.19 ₽

GD450HFY120C2S, модуль igbt 1200в 450a, 175°c 2173вт

В наличии

11 553.61 ₽

GD450HFY120C6S, igbt модуль 1200b 450а 2 in one-package

13 119.52 ₽

GD50PIY120C6S, модуль igbt 1200в 50a

В наличии

8 051.68 ₽

GD600HFX170C6S, igbt модуль 1700b 600а 2 in one-package

В наличии

23 397.77 ₽

GD600HFY120C2S, igbt модуль 1200b 600а

В наличии

14 829.66 ₽

GD600HFY120C6S, igbt модуль 1200b 600а 2 in one-package

В наличии

16 845.33 ₽

GD600SGX170C2S, модуль igbt силовой

14 532.68 ₽

GD600SGY120C2S, модуль igbt силовой

11 448.79 ₽

GD650HFX170P1S, модуль igbt силовой

25 978.53 ₽

GD75PIY120C6S, igbt модуль 1200b 75а

В наличии

6 971.93 ₽

GD800HFX170A3S, модуль igbt силовой

62 898.43 ₽

GD900HFX120P1SA, модуль igbt силовой

29 509.34 ₽

GS66504B-E01-MR, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

GT50JR22, биполярный транзистор igbt, 600 в, 50 а, 230 вт

В наличии

111.72 ₽

Описание GT50JR22 IGBT Discretes, Toshiba Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность,...

HD1750FX, биполярный транзистор, npn, 1700 в, 24 а, 75 вт

735.90 ₽

Описание HD1750FX General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800 Максимально допустимый ток к...

HF300H170, модуль силовой igbt 1700в/300a

В наличии

10 310.86 ₽

HFGM100A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/100a

В наличии

2 847.15 ₽

HFGM150D12AV1, модуль силовой igbt 1200в/150a

В наличии

4 384.42 ₽

HFGM195A 600V, модуль силовой igbt 600в

В наличии

3 062.33 ₽

HFGM200A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/200a

В наличии

4 777.72 ₽

HFGM300A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/300a

В наличии

6 485.47 ₽

HFGM450A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/450a

В наличии

7 550.08 ₽

HGTG11N120CND, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 43 а, 298 вт

Цена: по запросу

HGTG12N60C3D, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

HGTG20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт, 200 кгц

Цена: по запросу

Описание HGTG20N60A4 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 290 Крутизна характеристики, S -...

HGTP10N120BN, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 35 а, 298 вт

Цена: по запросу

HGTP12N60A4D, биполярный транзистор igbt, 600 в, 54 а, 167 вт

Цена: по запросу

HGTP14N36GVL, биполярный транзистор igbt, 390 в, 14 а, 100 вт

Цена: по запросу

HGTP20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт

Цена: по запросу

HGTP3N60A4, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

HKTD120N04, транзистор полевой mosfet n-канальный 40в 120a, 2.6мом

В наличии

31.57 ₽

HKTD15N10, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 15a, 0.1ом

В наличии

11.26 ₽

HKTD20N06, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 20a, 37мом

В наличии

9.89 ₽

HKTD4N50, транзистор полевой mosfet n-канальный 500в 5a, 1.7мом

В наличии

18.05 ₽

HKTD4N65, транзистор полевой mosfet n-канальный 660в 4a, 2.6ом

В наличии

19.42 ₽

HKTG150N03, транзистор полевой mosfet n-канальный 30в 150a, 3мом

В наличии

20.42 ₽

HKTG48N10, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 79a, 8мом

В наличии

42.03 ₽

HKTQ30N03, транзистор полевой n-канальный 30в 30a, 5.3 мом

Цена: по запросу

HKTQ30P03, транзистор полевой mosfet p-канальный 30в 60a, 10мом

В наличии

7.63 ₽

HKTQ80N03, транзистор полевой mosfet p-канальный 30в 80a, 5.2мом

Цена: по запросу

HUF75321D3ST, полевой транзистор, n-канальный, 55 в, 20 а

Цена: по запросу

HUF75321P3, транзистор полевой n-канальный 55в 35a

Цена: по запросу

HUF75329D3ST, транзистор полевой n-канальный 55в 20a

Цена: по запросу

HUF75332P3, транзистор полевой n-канальный 55в 60a

Цена: по запросу

HUF75339P3, транзистор полевой n-канальный 55в 75a

Цена: по запросу

HUF75344G3, транзистор полевой n-канальный 55в 75a

Цена: по запросу

Описание HUF75344G3 HUF75344G3 является N-канальным UltraFET силовым МОП-транзистором. Эта передовая технология обработки обеспечивает минимальное сопротивление в активном режиме на уровне кремния для выдающейся производительности. Это устройство способно выдерживать высокую энергию в...