Москва
 
+7(495)740-30-77

Транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
20
NDC7001C, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 60 в
NDC7001C, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 60 в
Цена: по запросу
NDC7002N, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 50 в, 510 ма
NDC7002N, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 50 в, 510 ма
Цена: по запросу
NDC7003P, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 340 ма
NDC7003P, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 340 ма
Цена: по запросу
NDS9948, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 2.3 а
NDS9948, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 2.3 а
Цена: по запросу
Описание NDS9948 Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 500...
NE3210S01-T1B, транзистор псевдоморфный полевой с гетеропереходом между легированным кремнием aigaas и нелегированным ingaas диапазон 12ггц
NE3210S01-T1B, транзистор псевдоморфный полевой с гетеропереходом между легированным кремнием aigaas и нелегированным ingaas диапазон 12ггц
Цена: по запросу
NF3M45170K, sic mosfet 1700в, 72а, корпус to-247-4
NF3M45170K, sic mosfet 1700в, 72а, корпус to-247-4
Цена: по запросу
NGB8202ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 150 вт
NGB8202ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 150 вт
Цена: по запросу
NGB8202ANTF4G, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
NGB8245NT4G, биполярный транзистор igbt, 490 в, 20 а, 150 вт
NGB8245NT4G, биполярный транзистор igbt, 490 в, 20 а, 150 вт
Цена: по запросу
NGD8201ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 125 вт
NGD8201ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 125 вт
Цена: по запросу
NGD8201ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 125 вт
NGD8201ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 125 вт
Цена: по запросу
NGD8205ANT4G, биполярный транзистор igbt, 390 в, 20 а, 125 вт
NGD8205ANT4G, биполярный транзистор igbt, 390 в, 20 а, 125 вт
Цена: по запросу
NGTB03N60R2DT4G, транзистор igbt одиночный
NGTB03N60R2DT4G, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
NGTB15N60S1EG, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30 а, 117 вт
NGTB15N60S1EG, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30 а, 117 вт
Цена: по запросу
NGTB30N120IHSWG, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а
NGTB30N120IHSWG, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а
Цена: по запросу
NGTB35N65FL2WG, биполярный транзистор igbt, 650 в, 70 а, 300 вт
NGTB35N65FL2WG, биполярный транзистор igbt, 650 в, 70 а, 300 вт
Цена: по запросу
NGTB40N120FL2WG, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а, 535 вт
NGTB40N120FL2WG, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а, 535 вт
Цена: по запросу
NGTB40N120FL3WG, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
NGTB40N120IHRWG, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а, 384 вт
NGTB40N120IHRWG, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а, 384 вт
Цена: по запросу
NGTB50N60FL2WG, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
Показать еще 20 товаров