Дискретные полупроводники :: Транзисторы

MMBFJ176, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ176 P-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 2…25 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…4 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 250(max)...

MMBFJ177, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ177 Корпус TO236 Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 1.5…20 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.8…2.5 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 300(max) Максимальная рассеиваемая...

MMBFJ177LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ201, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ201 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 40 Ток утечки (Idss), мА 0.2…1 при Vds, В (Vgs=0) 20 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.3…1.5 при Id, нА 10 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 0.35...

MMBFJ202, полевой транзистор с управляемым p-n переходом n-канальный 40в 350мвт

Цена: по запросу

MMBFJ270, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ270_R1_00001, транзистор управляемый p-n переходом

Цена: по запросу

MMBFJ309LT1G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ310, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 10 ма, 0.35вт

Цена: по запросу

MMBFJ310LT1G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ310LT3G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в

Цена: по запросу

MMBFU310LT1G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBT2222A, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MMBT2222A,215, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

В наличии

2.30 ₽

MMBT2222A-TP, биполярный транзистор npn 40в 0.6a sot23

Цена: по запросу

MMBT2222ALT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а, 0.225 вт

Цена: по запросу

Описание MMBT2222ALT1G Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 35, Коэффициент усиления по току, max 300 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном...

MMBT2222ALT3G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MMBT2222ATT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а, 0.15 вт

Цена: по запросу

MMBT2222AWT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MMBT2222AWT3G, биполярный транзистор npn 40в 0.6a sc70-3

Цена: по запросу