Москва
 
+7(495)740-30-77

Транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
16
IRF7301TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 5.2 а
IRF7301TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 5.2 а
Цена: по запросу
Описание IRF7301TRPBF The IRF7301TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely...
IRF7303PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 30 в, 4.9 а, 2 вт, 0.05 ом
IRF7303PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 30 в, 4.9 а, 2 вт, 0.05 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7303PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50...
IRF7304PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 20 в, 4.3 а, 2 вт, 0.09 ом
IRF7304PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 20 в, 4.3 а, 2 вт, 0.09 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7304PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 90...
IRF7304TR, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 4.3 а
IRF7304TR, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 4.3 а
Цена: по запросу
IRF7306PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 30 в, 3.6 а, 2 вт, 0.1 ом
IRF7306PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 30 в, 3.6 а, 2 вт, 0.1 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7306PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 100...
IRF7307PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 5.2 а/-4.3 а, 2 вт, 0.05 ом/0.09 ом
IRF7307PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 5.2 а/-4.3 а, 2 вт, 0.05 ом/0.09 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7307PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20/-20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.7/-4.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...
IRF7309PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 4 а,/-3 а, 1.4w
IRF7309PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 4 а,/-3 а, 1.4w
Цена: по запросу
Описание IRF7309PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В ±30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.9/-3.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...
IRF7309TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 4 а,/-3 а
IRF7309TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 4 а,/-3 а
Цена: по запросу
IRF730PBF, транзистор полевой n-канальный 400в 5.5а 74вт, 1 ом
IRF730PBF, транзистор полевой n-канальный 400в 5.5а 74вт, 1 ом
Цена: по запросу
Описание IRF730PBF • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • 150°C Operating temperature • Easy to parallel • Simple drive requirement Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5...
IRF7311PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 6.6 а, 2 вт, 0.029 ом
IRF7311PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 6.6 а, 2 вт, 0.029 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7311PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29...
IRF7313PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 6.5 а, 2w
IRF7313PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 6.5 а, 2w
Цена: по запросу
Описание IRF7313PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29...
IRF7313TRPBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 30 в, 6.5 а, 2 вт, 0.029 ом
Цена: по запросу
IRF7314PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 5.3 а, 2 вт
IRF7314PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 5.3 а, 2 вт
Цена: по запросу
Описание IRF7314PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -5.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 58...
IRF7316PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 30 в, 4.9 а, 2 вт, 0.058 ом
IRF7316PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 30 в, 4.9 а, 2 вт, 0.058 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7316PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4.9 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 58...
IRF7316TR, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 4.9 а
IRF7316TR, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 4.9 а
Цена: по запросу
IRF7316TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 4.9 а, 2вт
IRF7316TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 4.9 а, 2вт
В наличии
42.67 ₽
Описание IRF7316TRPBF P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark...
Показать еще 16 товаров