Дискретные полупроводники :: Транзисторы

IXXH60N65C4, igbt 650v 118a 455w to247ad

Цена: по запросу

IXYN82N120C3H1, igbt-транзистор 1200в 105а 500вт

Цена: по запросу

J105, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J106, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J109, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J112, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

Описание J112 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 35 Ток утечки (Idss), мА 5(min) при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…5 при Id, нА 1000 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 50(max)...

J112G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

J112_D26Z, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

Описание J113 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 35 Ток утечки (Idss), мА 2(min) при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.5…3 при Id, нА 1000 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 100(max)...

J176_D74Z, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 350 мвт

Цена: по запросу

JMPL0648AK-13, транзистор полевой mosfet силовой 60в 23a 40мом p-канальный

17.58 ₽

JMTL2305B, транзистор mosfet одиночный

2.57 ₽

KF4N20LD-RTF/HS, транзистор полевой n-канальный 200в 3,6а 31вт

В наличии

17.01 ₽

KRC104M, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.4 вт, 200 мгц, 47 ком+47 ком

В наличии

3.24 ₽

KSC2383YTA, биполярный транзистор, npn, 160 в, 1 а, 0.9 вт, (комплементарная пара ksa1013)

Цена: по запросу

Описание KSC2383YTA Small Signal NPN Transistors, Over 100V, Fairchild Semiconductor Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160 Максимально...

KSC2682 Y, биполярный транзистор, npn, 180 в, 0.1 а, 1.28 вт, (комплементарная пара ksa1142)

Цена: по запросу

KSC3265YMTF, биполярный транзистор, npn, 25 в, 0.8 а

Цена: по запросу

Описание KSC3265YMTF Small Signal NPN Transistors, Up to 30V, Fairchild Semiconductor Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально...

KSC5039FTU, биполярный транзистор, npn, 400 в, 5 а, 30 вт

Цена: по запросу

KSC5042M, биполярный транзистор, npn, 1500 в

В наличии

28.34 ₽