Транзисторы

Цена: по запросу
Описание FGL60N100BNTD Корпус TO264 Технология/семейство npt trench Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 39A 175W Chassis Mount Module Base Product Number FP25R12 -> Configuration Three Phase Inverter Current - Collector (Ic) (Max) 39A Current - Collector Cutoff (Max) 1mA ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095...
Описание FP75R12KE3BOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...
Цена: по запросу
Описание FQA11N90C_F109 N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P Base Product Number FQA1 -> Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 11A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V ECCN EAR99 FET Type N-Channel...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQA70N15 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 70 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.028 ом при...
Цена: по запросу
Описание FQA9N90C_F109 The FQA9N90C_F109 is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQD19N10LTM The FQD19N10LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 128 товаров