Транзисторы

Описание IRLR3636TRPBF N-LogL 60V 50A 143W 0.0068R TO252AA Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 6.8 мОм Структура n-канал...
Описание IRLR6225TRPBF N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Описание IRLR7843TRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 161 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.3 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Описание IRLR8726TRPBF N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Описание IRLR8743TRPBF Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 160 A Тип корпуса DPAK (TO-252) Максимальное рассеяние мощности 135 W Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 6.22мм Высота 2.39мм Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм...
Описание IRLS3034PBF MOSFET транзисторы International Rectifier на напряжение 40-100 В разработаны по новейшей Trench технологии и предназначены для DC-DC преобразователей и систем управления приводом с высоким рабочим током. Низкий уровень сопротивления открытого канала помогает улучшить...
Показать еще 20 товаров