Дискретные полупроводники :: Транзисторы

IRGP4640PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 65 а, 250 вт

Цена: по запросу

Описание IRGP4640PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 65 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 250 Крутизна характеристики, S 17...

IRGP4650D-EPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт

Цена: по запросу

IRGP4650D-EPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRGP4650DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт

В наличии

$8.09

Описание IRGP4650DPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 76 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 268 Крутизна характеристики, S 25...

IRGP4660D-EPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRGP4660DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 100 а, 330 вт

В наличии

$16.00

IRGP50B60PD1PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 390 вт

В наличии

$24.58

Описание IRGP50B60PD1PBF Транзистор IRGP50B60PD – 600-вольтовый NPT IGBT со встроенным антипараллельным 25-амперным HEXFRED® диодом. Транзистор входит в семейство WARP2™ транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150 кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12...

IRGP50B60PDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 370 вт

Цена: по запросу

IRGP6630DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 47 а, 192 вт

Цена: по запросу

IRGP6640DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 53 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRGP6660DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 95 а, 330 вт

Цена: по запросу

Описание IRGP6660DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 95 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.65 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 330 Крутизна характеристики, S...

IRGPS40B120UDP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 595 вт

Цена: по запросу

IRGPS40B120UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а, 595 вт

Цена: по запросу

Описание IRGPS40B120UPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.71 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 595 Крутизна характеристики,...

IRGPS60B120KDP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 105 а

Цена: по запросу

Описание IRGPS60B120KDP Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 105 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5 Управляющее напряжение,В 5 Мощность макс.,Вт 595 Крутизна характеристики, S...

IRGR2B60KDTRRPBF, igbt 600v 6.3a 35w dpak

Цена: по запросу

IRGR3B60KD2PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 7.8 а, 52 вт

Цена: по запросу

IRGR3B60KD2TRRP, биполярный транзистор igbt, 600 в, 7.8 а, 52 вт

Цена: по запросу

IRGR4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 77 вт

Цена: по запросу

Описание IRGR4045DPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 12 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S 5.8...

IRGR4607DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 58 вт

Цена: по запросу

Описание IRGR4607DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 11 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.75 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 58 Крутизна характеристики, S...

IRGR4610DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 77 вт

Цена: по запросу

Описание IRGR4610DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 16 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S...