Дискретные полупроводники :: Транзисторы

IRG4PC60FPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PC60UPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PF50WDPBF, биполярный транзистор igbt, 900 в, 51 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PF50WDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 900 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 51 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4PH20KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4PH30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 20 а, 100 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH30KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.9 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH30KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 20 а, 100 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH30KPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.9 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S 6.5...

IRG4PH40KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH40KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.4 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH40KPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PH40UD-EPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 41 а, 160 вт

Цена: по запросу

IRG4PH40UD2-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 160 вт

Цена: по запросу

IRG4PH40UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 41 а, 160 вт

Цена: по запросу

IRG4PH50KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH50KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.5 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH50KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PH50S-EPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 57 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PH50UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH50UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.55 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH50UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH50UPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.2 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 35...

IRG4PSC71KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 85 а, 350 вт

Цена: по запросу

IRG4PSC71KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 85 а, 350 вт

Цена: по запросу

IRG4PSC71UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 60 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PSC71UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 85 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики, S...