Дискретные полупроводники :: Транзисторы

IRG4BH20K-SPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4BH20K-STRLP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4IBC10UDPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4IBC30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 17 а, 45 вт

Цена: по запросу

IRG4IBC30WPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4P254S, биполярный транзистор igbt, 250 в, 98 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30FDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30FPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PC30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 34 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт

В наличии

£7.98

Описание IRG4PC30UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S...

IRG4PC30UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC40FDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 27 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC40FDPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4PC40FPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 49 а, 160 вт

В наличии

£6.16

IRG4PC40KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 42 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC40KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 42 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.1 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...

IRG4PC40UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC40UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.72 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...

IRG4PC50KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 52 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PC50SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC50SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.4 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 34...

IRG4PC50UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 55 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC50UDPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4PC50WPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 55 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC50WPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 55 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 41...