Дискретные полупроводники :: Транзисторы

IRFZ44ZPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51а 80вт

В наличии

87.51 ₽

Описание IRFZ44ZPBF The IRFZ44ZPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and...

IRFZ44ZSTRRPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51a

В наличии

127.31 ₽

IRFZ46NPBF, транзистор полевой n-канальный 50в 50а 150вт, 0.024 ом

В наличии

42.75 ₽

IRFZ48NPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 50а 190вт, 0.018 ом

В наличии

46.05 ₽

IRFZ48NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 64а 130вт, 0.014 ом

В наличии

95.04 ₽

Описание IRFZ48NSTRLPBF MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage, Vds: 55V; Continuous Drain Current, Id: 64A; On Resistance, Rds(on): 14mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10V; Package/Case: D2-PAK Корпус TO263, Конфигурация и полярность N,...

IRG4BC10KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 9 а, 38 вт

Цена: по запросу

IRG4BC20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 60 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC20KDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4BC20KDSTRLP, транзистор биполярный igbt 600в 16a 60вт d2pak

В наличии

53.59 ₽

IRG4BC20SPBF, транзистор биполярный igbt 600в 19a 60вт to220ab

В наличии

44.03 ₽

IRG4BC20UD-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC20UD-SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 13 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.85 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 60 Крутизна характеристики, S 4.3...

IRG4BC20UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 6.5 а, 60 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC20UDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4BC20UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4BC30FD1PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4BC30FPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC30FPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 31 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S 10...