Транзисторы

Описание IRF7465TRPBF N-CH 150V 1.9A 280mOhm SO-8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 280 мОм Структура n-канал Максимальное...
Описание IRF7470PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 13...
Описание IRF7470TRPBF N-CH 40V 11A 13mOhm SO8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 13 мОм Brand Infineon Вес, г 0.15
Описание IRF7493PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 80 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 15...
Описание IRF7493TRPBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Описание IRF7495PBF MOSFET, N, SO-8 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 7.3A Resistance, Rds On 0.022ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Idm Pulse 58A Pin Configuration...
Показать еще 20 товаров