Транзисторы

Цена: по запросу
Описание IRF2805STRLPBF МОП-транзистор MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 135 A Тип корпуса D2PAK (TO-263) Максимальное рассеяние мощности 200 W Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 9.65мм...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRF3709ZPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 87 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0063 ом...
Описание IRF3710STRLPBF MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 100V; Current, Id Cont: 57A; Resistance, Rds On: 23mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: D2-PAK; Termination Type: SMD Корпус TO263,...
Описание IRF3808PBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Показать еще 20 товаров