Транзисторы

Описание IRF1010NSPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 85 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 ом...
Цена: по запросу
Описание IRF1010ZSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Цена: по запросу
Описание IRF1404ZSTRLPBF Вес, г 2.5
Показать еще 20 товаров