Москва
 
+7(495)740-30-77

Транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
16
FF2MR12KM1PHOSA1, модуль силовой sic mosfet сдвоенный n-канальный 1200в лоток
FF2MR12KM1PHOSA1, модуль силовой sic mosfet сдвоенный n-канальный 1200в лоток
В наличии
99 868.24 ₽
FF300R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 300 а, 1450вт
FF300R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 300 а, 1450вт
В наличии
16 207.54 ₽
Описание FF300R12KE3HOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...
FF300R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt 1200в 300а
FF300R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt 1200в 300а
В наличии
11 358.84 ₽
FF300R17KE4HOSA1, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором
FF300R17KE4HOSA1, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором
Цена: по запросу
FF400R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 400 а
FF400R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 400 а
В наличии
16 580.19 ₽
FF450R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 450а
FF450R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 450а
В наличии
15 017.71 ₽
FF450R12ME3BOSA1, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 600а 2100вт 11-pin econod-3 лоток
FF450R12ME3BOSA1, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 600а 2100вт 11-pin econod-3 лоток
В наличии
11 765.96 ₽
FF45MR12W1M1B11BOMA1, модуль силовой mosfet 2 n-канальный 1200в 50a
FF45MR12W1M1B11BOMA1, модуль силовой mosfet 2 n-канальный 1200в 50a
Цена: по запросу
FF600R12ME4BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 600а
FF600R12ME4BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 600а
В наличии
23 765.41 ₽
FGA15N120ANTDTU_F109, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 186 вт
FGA15N120ANTDTU_F109, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 186 вт
Цена: по запросу
FGA20N120FTDTU, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 298 вт
FGA20N120FTDTU, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 298 вт
Цена: по запросу
FGA20S125P-SN00336, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 40 а, 250 вт
FGA20S125P-SN00336, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 40 а, 250 вт
Цена: по запросу
FGA20S140P, биполярный транзистор igbt, 1400 в, 40 а, 272 вт
FGA20S140P, биполярный транзистор igbt, 1400 в, 40 а, 272 вт
Цена: по запросу
FGA25N120ANTDTU, биполярный транзистор 1200 в, 25 а, 312 вт
FGA25N120ANTDTU, биполярный транзистор 1200 в, 25 а, 312 вт
Цена: по запросу
Описание FGA25N120ANTDTU Характеристики Структура igbt+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 312 Крутизна характеристики, S...
FGA25S125P, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 50 а, 250 вт
FGA25S125P, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 50 а, 250 вт
Цена: по запросу
FGA90N33ATDTU, биполярный транзистор igbt, 330 в, 90 а, 223 вт
FGA90N33ATDTU, биполярный транзистор igbt, 330 в, 90 а, 223 вт
Цена: по запросу
Показать еще 16 товаров