Москва
 
+7(495)740-30-77

Транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
16
FDY102PZ, транзистор полевой p-канальный 20в 830ма
FDY102PZ, транзистор полевой p-канальный 20в 830ма
Цена: по запросу
FDY2000PZ, полевой транзистор p-канальный 20в 0.35a 6-pin sot-563f лента на катушке
FDY2000PZ, полевой транзистор p-канальный 20в 0.35a 6-pin sot-563f лента на катушке
Цена: по запросу
FDY3000NZ, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 0.6 а
FDY3000NZ, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 0.6 а
Цена: по запросу
FDY300NZ, полевой транзистор, n-канальный, 20 в, 600 ма
FDY300NZ, полевой транзистор, n-канальный, 20 в, 600 ма
Цена: по запросу
FDY301NZ, транзистор полевой n-канальный 20в 0.2а 5 ом
FDY301NZ, транзистор полевой n-канальный 20в 0.2а 5 ом
Цена: по запросу
FDY302NZ, транзистор полевой n-канальный 20в
FDY302NZ, транзистор полевой n-канальный 20в
Цена: по запросу
FDY4000CZ, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в
FDY4000CZ, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в
Цена: по запросу
FDZ661PZ, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 2.6 а
FDZ661PZ, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 2.6 а
Цена: по запросу
FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт
FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт
В наличии
£42.38
Описание FF100R12RT4HOSA1 IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А Maximum Operating Temperature +150 °C Length 94мм Transistor Configuration Серия Brand Infineon Maximum Collector Emitter Voltage 1200 В...
FF11MR12W1M1B11BOMA1, модуль силовой mosfet 2 n-канальный 1200в 100a
Цена: по запросу
FF11MR12W1M1PB11BPSA1, модуль силовой sic mosfet, полумостовой n-канальный 1200в 100а
FF11MR12W1M1PB11BPSA1, модуль силовой sic mosfet, полумостовой n-канальный 1200в 100а
Цена: по запросу
FF150R12KE3G, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 225а
FF150R12KE3G, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 225а
В наличии
£109.71
FF150R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 150 а, 790 вт
FF150R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 150 а, 790 вт
В наличии
£51.35
Описание FF150R12RT4HOSA1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А Вес, г 160
FF200R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 200 а, 1050вт
FF200R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 200 а, 1050вт
В наличии
£127.36
FF200R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 200а, 1100вт
FF200R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 200а, 1100вт
В наличии
£71.82
FF23MR12W1M1PB11BPSA1, модуль силовой sic mosfet n-канальный 1.2kв 50a
FF23MR12W1M1PB11BPSA1, модуль силовой sic mosfet n-канальный 1.2kв 50a
В наличии
£118.78
Показать еще 16 товаров