Москва
 
+7(495)740-30-77

Транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
32
STD3NK90ZT4, транзистор полевой n-канальный 900в 3а 90вт
STD3NK90ZT4, транзистор полевой n-канальный 900в 3а 90вт
В наличии
117.01 ₽
STD40P8F6AG, транзистор управляемый p-n переходом
STD40P8F6AG, транзистор управляемый p-n переходом
Цена: по запросу
STD4N62K3, транзистор полевой n-канальный 620в
STD4N62K3, транзистор полевой n-канальный 620в
В наличии
42.03 ₽
STD4NK60ZT4, транзистор полевой n-канальный 600в 4а 70вт
STD4NK60ZT4, транзистор полевой n-канальный 600в 4а 70вт
В наличии
35.47 ₽
STD4NK80ZT4, транзистор полевой n-канальный 800в 3а 80вт
STD4NK80ZT4, транзистор полевой n-канальный 800в 3а 80вт
В наличии
83.50 ₽
STD5NK40ZT4, транзистор полевой n-канальный 400в 1.47 ом, 45вт, 3a
STD5NK40ZT4, транзистор полевой n-канальный 400в 1.47 ом, 45вт, 3a
В наличии
54.81 ₽
STD5NK50ZT4, транзистор полевой n-канальный 500в 4.4а 70вт
STD5NK50ZT4, транзистор полевой n-канальный 500в 4.4а 70вт
В наличии
52.62 ₽
Описание STD5NK50ZT4 MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 4.4 А; Rси(вкл): 1.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета...
STD60NF06T4, транзистор полевой n-канальный 60в 60а 110вт
STD60NF06T4, транзистор полевой n-канальный 60в 60а 110вт
В наличии
315.07 ₽
Описание STD60NF06T4 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
STD7N65M2, полевой mosfet транзистор n-канальный 600в 5а dpak
STD7N65M2, полевой mosfet транзистор n-канальный 600в 5а dpak
В наличии
58.53 ₽
STD7NM80, транзистор полевой n-канальный 800в 6.5а 90вт
STD7NM80, транзистор полевой n-канальный 800в 6.5а 90вт
В наличии
84.62 ₽
STD888T4, биполярный транзистор, pnp, 30 в, 5 а
STD888T4, биполярный транзистор, pnp, 30 в, 5 а
Цена: по запросу
STD9NM60N, транзистор полевой n-канальный 600в 6.5а 70вт
STD9NM60N, транзистор полевой n-канальный 600в 6.5а 70вт
В наличии
65.35 ₽
STE40NC60, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 40 а
STE40NC60, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 40 а
Цена: по запросу
STE48NM50, полевой транзистор, n-канальный, 550 в, 48 а
STE48NM50, полевой транзистор, n-канальный, 550 в, 48 а
Цена: по запросу
STE70NM60, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 70 а, 600 вт
STE70NM60, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 70 а, 600 вт
Цена: по запросу
STE88N65M5, полевой транзистор, n-канальный, 650 в, 88 а
STE88N65M5, полевой транзистор, n-канальный, 650 в, 88 а
Цена: по запросу
STF10NM60N, транзистор полевой n-канальный 600в 8а 70вт
STF10NM60N, транзистор полевой n-канальный 600в 8а 70вт
В наличии
68.10 ₽
Описание STF10NM60N N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом...
STF16N60M6, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 12a 0.26ом to-220fp туба
STF16N60M6, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 12a 0.26ом to-220fp туба
В наличии
161.44 ₽
STF21NM60ND, mosfet n-канал 600в/17а/0.17 oм/ серия fdmesh(tm) ii power mosfet (whit fast diode)
STF21NM60ND, mosfet n-канал 600в/17а/0.17 oм/ серия fdmesh(tm) ii power mosfet (whit fast diode)
Цена: по запросу
STF22N60DM6, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 15a 240мом to-220fp
STF22N60DM6, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 15a 240мом to-220fp
В наличии
198.04 ₽
STF24N60M6, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 17а 3-pin(3+tab) to-220fp туба
STF24N60M6, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 17а 3-pin(3+tab) to-220fp туба
В наличии
190.50 ₽
STGB10H60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 115 вт
STGB10H60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 115 вт
Цена: по запросу
STGB10NB37LZ, биполярный транзистор igbt, 375 в, 20 а, 125 вт
STGB10NB37LZ, биполярный транзистор igbt, 375 в, 20 а, 125 вт
Цена: по запросу
Описание STGB10NB37LZ Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 425 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 2.4 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 18...
STGB14NC60KDT4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 14 а, 80 вт
STGB14NC60KDT4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 14 а, 80 вт
Цена: по запросу
STGB15H60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30 а, 115 вт
STGB15H60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30 а, 115 вт
Цена: по запросу
STGB19NC60HDT4, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
STGB20H60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а, 167 вт
STGB20H60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а, 167 вт
Цена: по запросу
STGB20N40LZ, биполярный транзистор igbt, 390 в, 25 а, 150 вт
STGB20N40LZ, биполярный транзистор igbt, 390 в, 25 а, 150 вт
Цена: по запросу
STGB20NB37LZT4, биполярный транзистор igbt, 425 в, 40 а, 200 вт
Цена: по запросу
STGB20NB41LZT4, биполярный транзистор igbt, 442 в, 40 а, 200 вт
STGB20NB41LZT4, биполярный транзистор igbt, 442 в, 40 а, 200 вт
Цена: по запросу
STGB20NC60V, igbt 600v 60a 200w d2pak
STGB20NC60V, igbt 600v 60a 200w d2pak
Цена: по запросу
STGB20V60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а, 167 вт
STGB20V60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а, 167 вт
Цена: по запросу
Показать еще 32 товара