Москва
 
+7(495)740-30-77

Транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
32
MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт
MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт
Цена: по запросу
MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт
MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт
Цена: по запросу
MJE15033, транзистор биполярный pnp 250в 8a to220ab
MJE15033, транзистор биполярный pnp 250в 8a to220ab
49.34 ₽
MJE2955T, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 10 а, 75 вт
MJE2955T, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 10 а, 75 вт
В наличии
50.19 ₽
Описание MJE2955T PNP Power Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 70 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
MJE3055T, биполярный транзистор, npn, 60 в, 10 а, 75 вт
MJE3055T, биполярный транзистор, npn, 60 в, 10 а, 75 вт
В наличии
84.35 ₽
MJE340, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а, 20 вт
MJE340, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а, 20 вт
96.07 ₽
Описание MJE340 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...
MJE350, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 20 вт
MJE350, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 20 вт
В наличии
38.66 ₽
Описание MJE350 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...
MMBF170, транзистор полевой n-канальный 60в 0.5a, 0.225вт
MMBF170, транзистор полевой n-канальный 60в 0.5a, 0.225вт
В наличии
2.34 ₽
MMBF4117, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 225 мвт
MMBF4117, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 225 мвт
Цена: по запросу
MMBF4118, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 225 мвт
MMBF4118, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 225 мвт
Цена: по запросу
MMBF4391, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт
MMBF4391, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBF4391LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в
MMBF4391LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в
Цена: по запросу
MMBF4392, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт
MMBF4392, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBF4392LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBF4392LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт
Цена: по запросу
MMBF4393, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт
MMBF4393, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBF4393LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBF4393LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт
Цена: по запросу
Описание MMBF4393LT1G The MMBF4393LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications. • 30VDC Drain-source voltage • 30VDC Drain-gate voltage • 30VDC Gate-source voltage • 50mA Forward gate current Максимальная рабочая...
MMBF4393LT3G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBF4393LT3G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт
Цена: по запросу
MMBF4416, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный
MMBF4416, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный
Цена: по запросу
MMBF5103, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт
MMBF5103, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBF5457, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
MMBF5457, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBF5458, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
MMBF5458, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBF5458, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
MMBF5458, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBF5461, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 40 в, 225 мвт
MMBF5461, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 40 в, 225 мвт
Цена: по запросу
MMBF5461, полевой транзистор с управляемым p-n переходом
MMBF5461, полевой транзистор с управляемым p-n переходом
Цена: по запросу
MMBF5462, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 40 в, 225 мвт
MMBF5462, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 40 в, 225 мвт
Цена: по запросу
MMBF5484, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 10 ма, 0.225 вт
MMBF5484, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 10 ма, 0.225 вт
Цена: по запросу
MMBFJ108, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
MMBFJ108, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBFJ111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
MMBFJ111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBFJ112, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
MMBFJ112, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
Цена: по запросу
Описание MMBFJ112 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 2.92мм Transistor Configuration Одинарный Емкость исток-затвор 28пФ Запирающий ток сток-исток Idss min. 5mA Производитель ON Semiconductor Емкость...
MMBFJ113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
MMBFJ113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт
Цена: по запросу
MMBFJ175, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBFJ175, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
Цена: по запросу
MMBFJ175LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
MMBFJ175LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
Цена: по запросу
Показать еще 32 товара