Дискретные полупроводники :: Транзисторы

AON6403, транзистор полевой mosfet p-канальный 30в 21a 8dfn

Цена: по запросу

AON6405, транзистор полевой mosfet p-канальный 30в 30a 8-pin dfn ep лента на катушке

Цена: по запросу

AON6407, транзистор полевой mosfet p-канальный 30в 32a 8dfn

Цена: по запросу

AON6414A, транзистор полевой n-канальный 30в 13a 8-pin dfn ep лента на катушке

Цена: по запросу

Описание AON6414A Вес, г 0.4

AON6512, моп-транзистор, n-канальный, 30 в, 54 а, [dfn-8 5x6 ep]

Цена: по запросу

Описание AON6512 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 150 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0017 ом при...

AON6558, транзистор полевой mosfet n-канальный 30в 30a 8dfn

Цена: по запросу

AON6816, транзистор полевой mosfet n-канальный 30в 16a 8-pin dfn ep

Цена: по запросу

AON6884, транзистор полевой mosfet n-канальный 40в 34a 8-pin dfn ep лента на катушке

Цена: по запросу

AON7254, транзистор полевой mosfet n-канальный 150в 17a 8dfn

Цена: по запросу

AON7296, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 5a 8dfn

Цена: по запросу

AON7410, транзистор полевой mosfet n-канальный 30в 9.5a 8dfn

Цена: по запросу

AON7422E, полевой транзистор n-канальный 30в 40a 8-pin dfn-a ep

Цена: по запросу

AON7422G, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

AON7423, транзистор полевой mosfet p-канальный 20в 28a 8dfn

Цена: по запросу

AON7611, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

AON7934, транзистор полевой mosfet n-канальный 30в 16a/18a dfn-a ep

Цена: по запросу

AONR32314, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

AONR62818, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

AONS66402, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

AOP609, сборка из полевых транзисторо в, n+p-канальный, 60 в, -3.5 а/4.7 а, 2.5 вт

Цена: по запросу

AOT12N30L, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

AOTF10B65M1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

AOTF25S65, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

AOTF409, полевой транзистор p-канальный 60в 5.4a to220fl

Цена: по запросу

AOTL66610, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 350a

Цена: по запросу

AP18N20GH-HF, транзистор полевой n-канальный 200в 18а 89вт

В наличии

62.34 ₽

AP2761 I-A, транзистор полевой n-канальный 650в 10а 37вт

Цена: по запросу

AP2761I-A, транзистор полевой mosfet n-канальный 650в 10а 1.0ом [to-220cfm(i)]

285.26 ₽

Описание AP2761I-A Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1 ом при5a,...

AP2763 I-A, транзистор полевой n-канальный 750в 8а 50вт

Цена: по запросу

AP3000S45S1K1M, igbt модуль 4500в, 3000а, press pack

Цена: по запросу

AP40T03GH, транзистор полевой n-канальный 30в 28а 31.25вт

В наличии

27.89 ₽

AP40T03GJ, транзистор полевой n-канальный 30в 28а 31вт

В наличии

25.59 ₽

AP40T03GP, транзистор полевой n-канальный 30в 28а 31вт

Цена: по запросу

AP4415GH, полевой транзистор, p-канальный, 35 в, 24 а, 31 вт

Цена: по запросу

AP4435GJ, полевой транзистор, p-канальный, 30 в, 40 а, 44 вт

Цена: по запросу

AP450H12X4B, полумостовой модуль igbt 1200в, 450a, корпус 62мм

Цена: по запросу

AP450HB12ED3A, полумостовой igbt модуль 1200в, 450a

Цена: по запросу

AP450HB12ED3B, полумостовой igbt модуль 1200в, 450a

Цена: по запросу

AP4511GD, сборка из полевых транзисторов, n+p-канальный, 40 в, -5 а/6 а, 2 вт

Цена: по запросу

AP4511GH, сборка из полевых транзисторов, n+p-канальный, 35 в, -12 а/15 а, 10 вт

В наличии

122.81 ₽

Описание AP4511GH Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 35/-35 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15/-12 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...

AP600H12P4B, igbt модуль half bridge 1200в 600а

Цена: по запросу

AP600HB12ED3A, igbt модуль 1200в, 450a, econodual 3

Цена: по запросу

AP600HB17N4-2MB, igbt модуль 1200в, 600а, half bridge, econodual 3

Цена: по запросу

AP6679GH, транзистор полевой p-канальный 30в 75а 89вт

В наличии

35.22 ₽

AP800HB120E6E3B-2, igbt модуль 1200в, 800a, econodual 3

Цена: по запросу

AP88N30W, полевой транзистор, n-канальный, 330в 88а 150вт

Цена: по запросу

AP9435GK, транзистор полевой p-канальный 30в 6а 2.7вт

В наличии

39.05 ₽

AP9561GJ, транзистор полевой p-канальный 40в 45а 54вт

Цена: по запросу

AP9563GH, транзистор полевой p-канальный 40в 26а 39вт

В наличии

62.34 ₽

AP9930M, сборка из полевых транзисторов, 2n+2p-канальный, 30 в, -5.1 а/6.3 а, 2 вт

Цена: по запросу

AP9960GM, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 40 в, 7.8 а, 2 вт

Цена: по запросу

AP9962AGH, транзистор полевой n-канальный 40в 32а 27вт

В наличии

25.35 ₽

AP9971GH, транзистор полевой n-канальный 60в 25а 39вт

В наличии

18.64 ₽

AP9972GR, транзистор полевой n-канальный 60в 60а 89вт

В наличии

37.65 ₽

AP9975GH, транзистор полевой n-канальный

В наличии

24.59 ₽

APM4010NUC, транзистор полевой n-канальный 40в 57а 50вт

Цена: по запросу

Описание APM4010NUC Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 57 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.01 ом при...

APM4015PU, транзистор полевой p-канальный 40в 45а 50вт

Цена: по запросу

Описание APM4015PU Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.016 ом...