Москва
 
+7(495)740-30-77

Транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
32
IRG4PSC71UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 60 а, 350 вт
IRG4PSC71UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 60 а, 350 вт
Цена: по запросу
Описание IRG4PSC71UPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 85 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики, S -...
IRG4PSH71KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 78 а, 350 вт
IRG4PSH71KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 78 а, 350 вт
Цена: по запросу
Описание IRG4PSH71KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 78 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.44 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики,...
IRG4PSH71UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 99 а, 350 вт
IRG4PSH71UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 99 а, 350 вт
Цена: по запросу
IRG4RC10SDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 14 а, 38 вт
IRG4RC10SDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 14 а, 38 вт
Цена: по запросу
IRG4RC10UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 8.5 а, 38 вт
IRG4RC10UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 8.5 а, 38 вт
Цена: по запросу
IRG7PH30K10DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 180 вт
IRG7PH30K10DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 180 вт
Цена: по запросу
IRG7PH42U-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 90 а, 385 вт
IRG7PH42U-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 90 а, 385 вт
Цена: по запросу
IRG7PH42UD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 85 а, 320 вт
IRG7PH42UD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 85 а, 320 вт
Цена: по запросу
IRG7PH42UD1-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 350 вт
IRG7PH42UD1-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 350 вт
Цена: по запросу
IRG7PH42UD1PBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 85 а, 313 вт
IRG7PH42UD1PBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 85 а, 313 вт
Цена: по запросу
IRG7PH42UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 78 а, 385 вт
IRG7PH42UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 78 а, 385 вт
Цена: по запросу
Описание IRG7PH42UPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...
IRG7PH46UD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 108 а, 390 вт
IRG7PH46UD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 108 а, 390 вт
Цена: по запросу
IRG7PH46UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 390 вт
IRG7PH46UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 390 вт
Цена: по запросу
Описание IRG7PH46UDPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...
IRG7PH46UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 130 а, 469 вт
IRG7PH46UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 130 а, 469 вт
Цена: по запросу
Описание IRG7PH46UPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...
IRG7PH50K10D-EPBF, транзистор igbt одиночный
IRG7PH50K10D-EPBF, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IRG7PSH54K10DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 120 а, 520 вт
IRG7PSH54K10DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 120 а, 520 вт
Цена: по запросу
IRGB14C40LPBF, биполярный транзистор igbt, 430 в, 20 а, 125 вт
IRGB14C40LPBF, биполярный транзистор igbt, 430 в, 20 а, 125 вт
Цена: по запросу
Описание IRGB14C40LPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 430 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.4 Управляющее напряжение,В 1.8 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 15...
IRGB30B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт
IRGB30B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт
Цена: по запросу
IRGB4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 77 вт
IRGB4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 77 вт
Цена: по запросу
Описание IRGB4045DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 12 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S...
IRGB4060DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 99 вт
IRGB4060DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 99 вт
Цена: по запросу
IRGB4064DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 101 вт
IRGB4064DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 101 вт
Цена: по запросу
IRGB4607DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 58 вт
IRGB4607DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 58 вт
В наличии
44.00 ₽
Описание IRGB4607DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 7 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.75 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 58 Крутизна характеристики, S...
IRGB4615DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 99 вт
IRGB4615DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 99 вт
Цена: по запросу
Описание IRGB4615DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 99 Крутизна характеристики, S...
IRGB5B120KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 12 а, 89 вт
IRGB5B120KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 12 а, 89 вт
Цена: по запросу
IRGB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 90 вт
IRGB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 90 вт
Цена: по запросу
IRGIB10B60KD1P, транзистор igbt одиночный
IRGIB10B60KD1P, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IRGIB15B60KD1P, биполярный транзистор igbt, 600 в, 19 а, 52 вт
IRGIB15B60KD1P, биполярный транзистор igbt, 600 в, 19 а, 52 вт
Цена: по запросу
IRGIB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 38 вт
IRGIB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 38 вт
Цена: по запросу
IRGP20B120U-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 300 вт
IRGP20B120U-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 300 вт
Цена: по запросу
IRGP30B120KD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 300 вт
IRGP30B120KD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 300 вт
Цена: по запросу
Описание IRGP30B120KD-EP Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
IRGP30B60KD-EP, igbt 600v 60a 304w to247ad
IRGP30B60KD-EP, igbt 600v 60a 304w to247ad
Цена: по запросу
IRGP4066DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 140 а, 454 вт
IRGP4066DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 140 а, 454 вт
Цена: по запросу
Показать еще 32 товара