Дискретные полупроводники :: Транзисторы

IRF7301TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 5.2 а

Цена: по запросу

Описание IRF7301TRPBF The IRF7301TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely...

IRF7303PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 30 в, 4.9 а, 2 вт, 0.05 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7303PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50...

IRF7304PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 20 в, 4.3 а, 2 вт, 0.09 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7304PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 90...

IRF7304TR, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 4.3 а

Цена: по запросу

IRF7306PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 30 в, 3.6 а, 2 вт, 0.1 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7306PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 100...

IRF7307PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 5.2 а/-4.3 а, 2 вт, 0.05 ом/0.09 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7307PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20/-20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.7/-4.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...

IRF7309PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 4 а,/-3 а, 1.4w

Цена: по запросу

Описание IRF7309PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В ±30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.9/-3.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...

IRF7309TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 4 а,/-3 а

Цена: по запросу

IRF730PBF, транзистор полевой n-канальный 400в 5.5а 74вт, 1 ом

Цена: по запросу

Описание IRF730PBF • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • 150°C Operating temperature • Easy to parallel • Simple drive requirement Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5...

IRF7311PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 6.6 а, 2 вт, 0.029 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7311PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29...

IRF7313PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 6.5 а, 2w

Цена: по запросу

Описание IRF7313PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29...

IRF7313TRPBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 30 в, 6.5 а, 2 вт, 0.029 ом

Цена: по запросу

IRF7314PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 5.3 а, 2 вт

Цена: по запросу

Описание IRF7314PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -5.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 58...

IRF7316PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 30 в, 4.9 а, 2 вт, 0.058 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7316PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4.9 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 58...

IRF7316TR, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 4.9 а

Цена: по запросу

IRF7316TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 4.9 а, 2вт

В наличии

£0.37

Описание IRF7316TRPBF P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark...

IRF7317PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 6.6 а/5.3 а, 2вт

Цена: по запросу

Описание IRF7317PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В ±20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А ±6.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29/58...

IRF7319PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 2 вт

Цена: по запросу

Описание IRF7319PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30/-30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5/-4.9 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...

IRF7319TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в

Цена: по запросу

IRF7324PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 9 а, 2 вт

Цена: по запросу

Описание IRF7324PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -9.0 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 18...

IRF7328PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 8 а, 2.0 вт

Цена: по запросу

Описание IRF7328PBF Характеристики Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 21...

IRF7329PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 12 в, 9.2 а, 2w

В наличии

£0.51

IRF7329TRPBF, транзистор полевой p-канальный 12в 9.2a 8-pin soic лента на катушке

В наличии

£0.35

Описание IRF7329TRPBF MOSFET, DUAL P CH, -12V, -9.2A, SOIC-8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 12 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 17 мОм Максимальная рабочая...

IRF7331PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 7 а

Цена: по запросу

IRF7341PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 55 в, 4.7 а, 2 вт, 0.05 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7341PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50...

IRF7341QTRPBF, сборка полевых транзисторов, 2n-канальный, 55 в, 4.42 а, 2.4 вт, 0.05 ом

Цена: по запросу

IRF7341TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 55 в, 4.7 а, 2 вт

Цена: по запросу

IRF7342PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 55 в, 3.4 а, 2 вт, 0.105 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7342PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -3.4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 105...

IRF7343PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 55 в, 4.7 а/3.4 а, 2 вт, 0.05 ом/0.105 ом

Цена: по запросу

Описание IRF7343PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55/-55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7/-3.4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...

IRF7343TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 55 в

Цена: по запросу

IRF7351PBF, сборка из полевых транзисторов, 60 в, n-канальный, 2 вт

Цена: по запросу

Описание IRF7351PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 17.8...

IRF7351TR, сборка из полевых транзисторов, mosfet 2n-канальный, 60 в, 8 а

Цена: по запросу