Транзисторы

Описание STP6NK60ZFP MOSFET, N, TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 600V Current, Id Cont 6A Resistance, Rds On 1.2ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 3.75V Case Style TO-220FP Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 24A...
Описание STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP является N-канальным силовым МОП-транзистором SuperMESH™, который обеспечивает защиту с диодом Зенера и минимизирует заряд затвора. SuperMESH ™ получается благодаря экстремальной оптимизации PowerMESH™. В дополнение к значительному снижению сопротивления в...
Описание STP75NF75 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Описание STP7NK80ZFP The STP7NK80ZFP is a 800V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to...
Описание STP9NK60Z MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 7 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 38 нКл Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений...
Цена: по запросу
Описание STW26NM60N N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.165 ом при...
Описание STW4N150 N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP102 NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100...
Описание TIP107 PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics Структура pnp darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100...
Описание TIP112 NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100...
Описание TIP120TU Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В...
Описание TIP121 NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80...
Описание TIP122 Составной транзистор Характеристики Технические ∙ Корпус TO-220 ∙ Распиновка BCE Электрические ∙ Мощность 2Вт ∙ Ток коллектора 5А ∙ Обратный ток коллектор-база 200uA ∙ Напряжение эмиттер-база 5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 100В ∙ Hfe min 1000...
Описание TIP122G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100...
Описание TIP122TU Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5...
Описание TIP125 PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics Структура pnp darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60...
Описание TIP127 Корпус TO220AB, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 65 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 5 А, Коэффициент усиления по току, min 1000 Структура pnp darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном...
Показать еще 64 товара