FS75R12KE3BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в 105 а 350 вт

FS75R12KE3BOSA1

Описание

Описание FS75R12KE3BOSA1

IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT's can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.

Максимальная рабочая температура+125 °C
Длина107.5мм
Transistor ConfigurationТрехфазные
ПроизводительInfineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора105 A
Тип корпусаEconoPACK 2
Максимальное рассеяние мощности350 Вт
Тип монтажаМонтаж на печатную плату
Минимальная рабочая температура-40 °C
Ширина45мм
Высота17мм
Число контактов28
Размеры107.5 x 45 x 17мм
Конфигурация3-фазный мост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер±20V
Тип каналаN
Вес, г180

Особенности

Вес брутто
218.4 г
Код товара
198755
Корпус
ECONOD-3
Краткое описание
IGBT Module N-CH 1200V 105A 350W 28-Pin ECONO2-6 Tray Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт
Максимальная мощность
350 Вт
Напряжение коллектор-эмиттер
1200В
Нормоупаковка
10 шт
Остаток под заказ
0 шт
Тип упаковки
Штучный товар
Ток коллектора
105А
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/67/38/e6/c3/1008c7ffe794dd47996017c5.pdf
Возможно, вас это заинтересует
  • Самые популярные
  • Распродажа
  • Недавно просмотренные