FP75R12KE3BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 a, 355вт

FP75R12KE3BOSA1

Описание

Описание FP75R12KE3BOSA1

IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.

Максимальная рабочая температура+125 °C
Длина122мм
Transistor ConfigurationТрехфазный
ПроизводительInfineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора105 A
Тип корпусаAG-ECONO3-3
Максимальное рассеяние мощности355 Вт
Тип монтажаМонтаж на панель
Минимальная рабочая температура-40 °C
Ширина62мм
Высота17мм
Размеры122 x 62 x 17мм
Конфигурация3-фазный мост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер±20V
Тип каналаN
Вес, г180

Особенности

Вес брутто
355.6 г
Код товара
137821
Корпус
ECONO2-1
Краткое описание
IGBT-module, IGBT 3, 1200V, 75A, 3-phase, rectifier, chopper, temperature sensor Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт
Напряжение коллектор-эмиттер
1200В
Нормоупаковка
10 шт
Остаток под заказ
0 шт
Тип упаковки
Bulk (россыпь)
Ток коллектора
75А
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/54/a5/58/f5/c1368c4bc5fdba37c74e1d30.pdf
Возможно, вас это заинтересует
  • Самые популярные
  • Распродажа
  • Недавно просмотренные