FF150R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 150 а, 790 вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание FF150R12RT4HOSA1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А
| Вес, г | 160 |
Особенности
Вес брутто
182.2 г
Код товара
139799
Корпус
34 mm
Краткое описание
IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Нормоупаковка
10 шт
Остаток под заказ
0 шт
Тип упаковки
Tray (палетта)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/02/31/ab/ff/4871c14da0c197eb4ac9c172.pdf