CM200DY-12H, биполярный транзистор igbt, 200a, 600v
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание CM200DY-12H
Характеристики
| Структура | полумост |
|---|---|
| Наличие схем управления/защиты в составе модуля | нет |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Максимально допустимый импульсный ток э,А | 400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 20 |
| Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В | 2.8 |
| Входная емкость затвора,нФ | 20 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 550 |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 780 |
| Температурный диапазон,С | -40…150 |
| Корпус | cm100 |
Особенности
Вес брутто
345.7 г
Входная емкость
20 нФ
Код товара
308238
Конфигурация
Полумост
Корпус
Module
Краткое описание
IGBT MOD DUAL 600V 200A H SER Биполярный транзистор IGBT, 200A, 600V
Максимальная мощность
780 Вт
Наличие термистора
Нет
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Нормоупаковка
4 шт
Тип упаковки
Paper Box
Ток коллектора
200А
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/27/66/3a/8a/a980c03ecf98167d5b1b40f9.pdf