Дискретные полупроводники :: Транзисторы :: IGBT (БТИЗ) транзисторы

Описание CM200DY-12H Характеристики Структура полумост Наличие схем управления/защиты в составе модуля нет Макс.напр.к-э,В 600 Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200 Максимально допустимый импульсный ток э,А 400 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/...

CM200DY-12NF, биполярный транзистор igbt, 200a, 600v

Цена: по запросу

CM200DY-24A, биполярный транзистор igbt, 200a, 1200v

Цена: по запросу

CM200DY-24NF, биполярный транзистор igbt, 200a, 1200v

Цена: по запросу

CM200RL-12NF, биполярный транзистор igbt, 200a, 600v

Цена: по запросу

CM200RL-24NF, биполярный транзистор igbt, 200a, 1200v

Цена: по запросу

CM300DU-24NFH, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM300DY-24A, биполярный транзистор igbt, 300a, 1200v

Цена: по запросу

CM300DY-24NF, биполярный транзистор igbt, 300a, 1200v

Цена: по запросу

CM400DY-12NF, биполярный транзистор igbt, 400a, 600v

20 688.75 ₽

CM400DY-34A, модуль igbt cm400dy-34a mit

23 535.09 ₽

CM400DY-34T, модуль igbt силовой

15 226.66 ₽

CM400HA-24A, модуль igbt силовой

10 914.14 ₽

CM450DX-34T, модуль igbt силовой

10 233.63 ₽

CM600E2Y-34H, модуль igbt силовой

35 006.63 ₽

CM75E3U-12H, биполярный транзистор igbt, 75a, 600v

2 013.46 ₽

CM75TU-24F, биполярный транзистор igbt, 75a, 1200v

В наличии

14 459.47 ₽

CM800DW-34T, модуль igbt силовой

23 412.42 ₽

CP25TD1-24A, биполярный транзистор, 1200 в, 25 а

6 889.77 ₽

CP30TD1-12A, dip-cib mod 600v 30a

5 198.49 ₽

DFI100HF12DE1, модуль igbt силовой

2 843.85 ₽

DFI100HF17DE1, модуль igbt силовой

3 445.98 ₽

DFI150HF17DF1, модуль igbt силовой

6 738.26 ₽

DFI200HF12DF1, модуль igbt силовой

5 990.00 ₽

DFI200HF17DF1, модуль igbt силовой

7 204.10 ₽

DFI300HF12DF1, модуль igbt силовой

7 446.92 ₽

DFI300HF12I4ME1, модуль igbt силовой

8 002.54 ₽

DFI300HF17DF1, модуль igbt силовой

9 268.80 ₽

DFI300HF17I4RE1, модуль igbt силовой

11 752.65 ₽

DFI450HF12DF1, igbt модуль half bridge 1200в 450а, корпус 62мм

9 557.79 ₽

DFI450HF12I4ME1, igbt модуль 1200в, 450а, полумостовой

В наличии

9 986.38 ₽

DFI450HF12I4ME2, модуль igbt силовой

14 432.84 ₽

DFI450HF17I4RE1, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

В наличии

12 499.49 ₽

DFI500HF17DFRE1, модуль igbt силовой

13 449.97 ₽

DFI600HF12I4ME1, igbt модуль 1200в, 600а, полумостовой

14 035.06 ₽

DFI600HF17I4RE1, igbt модуль 1700в, 600а, полумостовой

В наличии

15 546.59 ₽

DFI600HF17I4RE2, igbt модуль 1700в 600а полумостовой

15 114.56 ₽

FD250R65KE3KNOSA1, модуль силовой igbt 6500в 250а

В наличии

59 721.83 ₽

FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт

В наличии

4 855.05 ₽

Описание FF100R12RT4HOSA1 IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А Maximum Operating Temperature +150 °C Length 94мм Transistor Configuration Серия Brand Infineon Maximum Collector Emitter Voltage 1200 В...

FF150R12KE3G, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 225а

В наличии

12 569.38 ₽

FF150R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 150 а, 790 вт

В наличии

5 882.72 ₽

Описание FF150R12RT4HOSA1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А Вес, г 160

FF200R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 200 а, 1050вт

В наличии

14 591.04 ₽

FF200R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 200а, 1100вт

В наличии

8 228.60 ₽

FF300R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 300 а, 1450вт

В наличии

16 207.54 ₽

Описание FF300R12KE3HOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...

FF300R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt 1200в 300а

В наличии

11 358.84 ₽

FF400R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 400 а

В наличии

16 580.19 ₽

FF450R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 450а

В наличии

15 017.71 ₽

FF450R12ME3BOSA1, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 600а 2100вт 11-pin econod-3 лоток

В наличии

11 765.96 ₽

FF600R12ME4BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 600а

В наличии

23 765.41 ₽

FP25R12W2T4BOMA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 25a, 175вт

В наличии

4 226.63 ₽

Описание FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 39A 175W Chassis Mount Module Base Product Number FP25R12 -> Configuration Three Phase Inverter Current - Collector (Ic) (Max) 39A Current - Collector Cutoff (Max) 1mA ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095...

FP35R12W2T4BOMA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 35a

В наличии

4 528.77 ₽

FP75R12KE3BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 a, 355вт

В наличии

38 814.83 ₽

Описание FP75R12KE3BOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...

FS75R12KE3BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в 105 а 350 вт

В наличии

24 644.85 ₽

Описание FS75R12KE3BOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...