IGBT (БТИЗ) транзисторы

В наличии
10 371.76 
В наличии
11 611.04 
3 307.59 
В наличии
8 051.68 
В наличии
14 829.66 
14 532.68 
11 448.79 
25 978.53 
В наличии
6 971.93 
62 898.43 
29 509.34 
Описание GT50JR22 IGBT Discretes, Toshiba Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность,...
Показать еще 20 товаров