Москва
 
+7(495)740-30-77

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
16
DFI300HF12I4ME1, модуль igbt силовой
8 002.54 ₽
DFI300HF17DF1, модуль igbt силовой
9 268.80 ₽
DFI300HF17I4RE1, модуль igbt силовой
11 752.65 ₽
DFI450HF12DF1, igbt модуль half bridge 1200в 450а, корпус 62мм
9 557.79 ₽
DFI450HF12I4ME1, igbt модуль 1200в, 450а, полумостовой
DFI450HF12I4ME1, igbt модуль 1200в, 450а, полумостовой
В наличии
9 986.38 ₽
DFI450HF12I4ME2, модуль igbt силовой
14 432.84 ₽
DFI450HF17I4RE1, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
DFI450HF17I4RE1, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
В наличии
12 499.49 ₽
DFI500HF17DFRE1, модуль igbt силовой
13 449.97 ₽
DFI600HF12I4ME1, igbt модуль 1200в, 600а, полумостовой
DFI600HF12I4ME1, igbt модуль 1200в, 600а, полумостовой
14 035.06 ₽
DFI600HF17I4RE1, igbt модуль 1700в, 600а, полумостовой
DFI600HF17I4RE1, igbt модуль 1700в, 600а, полумостовой
В наличии
15 546.59 ₽
DFI600HF17I4RE2, igbt модуль 1700в 600а полумостовой
15 114.56 ₽
DG25X12T2, транзистор биполярный igbt со встроенным диодом 1200в/25а общего применения
DG25X12T2, транзистор биполярный igbt со встроенным диодом 1200в/25а общего применения
В наличии
292.26 ₽
DG50X06T2, биполярный транзистор igbt, 600в 100а 714вт
DG50X06T2, биполярный транзистор igbt, 600в 100а 714вт
В наличии
278.64 ₽
FD250R65KE3KNOSA1, модуль силовой igbt 6500в 250а
В наличии
59 721.83 ₽
FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт
FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт
В наличии
4 855.05 ₽
Описание FF100R12RT4HOSA1 IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А Maximum Operating Temperature +150 °C Length 94мм Transistor Configuration Серия Brand Infineon Maximum Collector Emitter Voltage 1200 В...
FF150R12KE3G, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 225а
FF150R12KE3G, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 225а
В наличии
12 569.38 ₽
Показать еще 16 товаров