IGBT (БТИЗ) транзисторы

Цена: по запросу
Описание FGA25N120ANTDTU Характеристики Структура igbt+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 312 Крутизна характеристики, S...
Цена: по запросу
Описание FGL60N100BNTD Корпус TO264 Технология/семейство npt trench Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9...
Описание FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 39A 175W Chassis Mount Module Base Product Number FP25R12 -> Configuration Three Phase Inverter Current - Collector (Ic) (Max) 39A Current - Collector Cutoff (Max) 1mA ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095...
Описание FP75R12KE3BOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...
Описание FS75R12KE3BOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...
Показать еще 20 товаров