Москва
 
+7(495)740-30-77

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
32
GD300HFY120C6S, igbt модуль 1200b 300а 2 in one-package
GD300HFY120C6S, igbt модуль 1200b 300а 2 in one-package
В наличии
10 540.28 ₽
GD400HFU120C2S, модуль igbt 1200в 400a
GD400HFU120C2S, модуль igbt 1200в 400a
В наличии
10 371.76 ₽
GD400HFX170C2S, модуль igbt 1700в 648a
GD400HFX170C2S, модуль igbt 1700в 648a
В наличии
11 611.04 ₽
GD400HFY120C2S, модуль силовой igbt полумостовой 1200в, 400а, +175°c
GD400HFY120C2S, модуль силовой igbt полумостовой 1200в, 400а, +175°c
В наличии
8 915.70 ₽
GD40PIY120C5S, модуль igbt силовой
3 307.59 ₽
GD450HFX170C6S, igbt модуль 1700b 450а 2 in one-package
GD450HFX170C6S, igbt модуль 1700b 450а 2 in one-package
В наличии
16 054.19 ₽
GD450HFY120C2S, модуль igbt 1200в 450a, 175°c 2173вт
GD450HFY120C2S, модуль igbt 1200в 450a, 175°c 2173вт
В наличии
11 553.61 ₽
GD450HFY120C6S, igbt модуль 1200b 450а 2 in one-package
13 119.52 ₽
GD50PIY120C6S, модуль igbt 1200в 50a
GD50PIY120C6S, модуль igbt 1200в 50a
В наличии
8 051.68 ₽
GD600HFX170C6S, igbt модуль 1700b 600а 2 in one-package
GD600HFX170C6S, igbt модуль 1700b 600а 2 in one-package
В наличии
23 397.77 ₽
GD600HFY120C2S, igbt модуль 1200b 600а
GD600HFY120C2S, igbt модуль 1200b 600а
В наличии
14 829.66 ₽
GD600HFY120C6S, igbt модуль 1200b 600а 2 in one-package
GD600HFY120C6S, igbt модуль 1200b 600а 2 in one-package
В наличии
16 845.33 ₽
GD600SGX170C2S, модуль igbt силовой
14 532.68 ₽
GD600SGY120C2S, модуль igbt силовой
11 448.79 ₽
GD650HFX170P1S, модуль igbt силовой
25 978.53 ₽
GD75PIY120C6S, igbt модуль 1200b 75а
GD75PIY120C6S, igbt модуль 1200b 75а
В наличии
6 971.93 ₽
GD800HFX170A3S, модуль igbt силовой
62 898.43 ₽
GD900HFX120P1SA, модуль igbt силовой
29 509.34 ₽
GT50JR22, биполярный транзистор igbt, 600 в, 50 а, 230 вт
GT50JR22, биполярный транзистор igbt, 600 в, 50 а, 230 вт
В наличии
111.72 ₽
Описание GT50JR22 IGBT Discretes, Toshiba Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность,...
HF300H170, модуль силовой igbt 1700в/300a
HF300H170, модуль силовой igbt 1700в/300a
В наличии
10 310.86 ₽
HFGM100A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/100a
HFGM100A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/100a
В наличии
2 847.15 ₽
HFGM150D12AV1, модуль силовой igbt 1200в/150a
HFGM150D12AV1, модуль силовой igbt 1200в/150a
В наличии
4 384.42 ₽
HFGM195A 600V, модуль силовой igbt 600в
HFGM195A 600V, модуль силовой igbt 600в
В наличии
3 062.33 ₽
HFGM200A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/200a
HFGM200A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/200a
В наличии
4 777.72 ₽
HFGM300A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/300a
HFGM300A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/300a
В наличии
6 485.47 ₽
HFGM450A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/450a
HFGM450A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/450a
В наличии
7 550.08 ₽
HGTG11N120CND, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 43 а, 298 вт
HGTG11N120CND, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 43 а, 298 вт
Цена: по запросу
HGTG12N60C3D, транзистор igbt одиночный
HGTG12N60C3D, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
HGTG20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт, 200 кгц
HGTG20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт, 200 кгц
Цена: по запросу
Описание HGTG20N60A4 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 290 Крутизна характеристики, S -...
HGTP10N120BN, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 35 а, 298 вт
HGTP10N120BN, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 35 а, 298 вт
Цена: по запросу
HGTP12N60A4D, биполярный транзистор igbt, 600 в, 54 а, 167 вт
HGTP12N60A4D, биполярный транзистор igbt, 600 в, 54 а, 167 вт
Цена: по запросу
HGTP14N36GVL, биполярный транзистор igbt, 390 в, 14 а, 100 вт
HGTP14N36GVL, биполярный транзистор igbt, 390 в, 14 а, 100 вт
Цена: по запросу
Показать еще 32 товара