Москва
 
+7(495)740-30-77

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
20
DFI450HF12I4ME1, igbt модуль 1200в, 450а, полумостовой
DFI450HF12I4ME1, igbt модуль 1200в, 450а, полумостовой
В наличии
9 986.38 ₽
DFI450HF12I4ME2, модуль igbt силовой
14 432.84 ₽
DFI450HF17I4RE1, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
DFI450HF17I4RE1, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой
В наличии
12 499.49 ₽
DFI500HF17DFRE1, модуль igbt силовой
13 449.97 ₽
DFI600HF12I4ME1, igbt модуль 1200в, 600а, полумостовой
DFI600HF12I4ME1, igbt модуль 1200в, 600а, полумостовой
14 035.06 ₽
DFI600HF17I4RE1, igbt модуль 1700в, 600а, полумостовой
DFI600HF17I4RE1, igbt модуль 1700в, 600а, полумостовой
В наличии
15 546.59 ₽
DFI600HF17I4RE2, igbt модуль 1700в 600а полумостовой
15 114.56 ₽
DG25X12T2, транзистор биполярный igbt со встроенным диодом 1200в/25а общего применения
DG25X12T2, транзистор биполярный igbt со встроенным диодом 1200в/25а общего применения
В наличии
292.26 ₽
DG50X06T2, биполярный транзистор igbt, 600в 100а 714вт
DG50X06T2, биполярный транзистор igbt, 600в 100а 714вт
В наличии
278.64 ₽
FD250R65KE3KNOSA1, модуль силовой igbt 6500в 250а
В наличии
59 721.83 ₽
FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт
FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт
В наличии
4 855.05 ₽
Описание FF100R12RT4HOSA1 IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А Maximum Operating Temperature +150 °C Length 94мм Transistor Configuration Серия Brand Infineon Maximum Collector Emitter Voltage 1200 В...
FF150R12KE3G, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 225а
FF150R12KE3G, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 225а
В наличии
12 569.38 ₽
FF150R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 150 а, 790 вт
FF150R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 150 а, 790 вт
В наличии
5 882.72 ₽
Описание FF150R12RT4HOSA1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А Вес, г 160
FF200R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 200 а, 1050вт
FF200R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 200 а, 1050вт
В наличии
14 591.04 ₽
FF200R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 200а, 1100вт
FF200R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 200а, 1100вт
В наличии
8 228.60 ₽
FF300R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 300 а, 1450вт
FF300R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 300 а, 1450вт
В наличии
16 207.54 ₽
Описание FF300R12KE3HOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...
FF300R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt 1200в 300а
FF300R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt 1200в 300а
В наличии
11 358.84 ₽
FF400R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 400 а
FF400R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 400 а
В наличии
16 580.19 ₽
FF450R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 450а
FF450R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 450а
В наличии
15 017.71 ₽
FF450R12ME3BOSA1, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 600а 2100вт 11-pin econod-3 лоток
FF450R12ME3BOSA1, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 600а 2100вт 11-pin econod-3 лоток
В наличии
11 765.96 ₽
Показать еще 20 товаров