IGBT (БТИЗ) транзисторы

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание STGB10NB37LZ Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 425 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 2.4 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 18...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание STGD18N40LZT4 Характеристики Структура - Максимальное напряжение кэ ,В 390 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 25 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.3 Управляющее напряжение,В 1.6 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S -...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание STGW35HF60WDA IGBT Discretes, STMicroelectronics Технология/семейство hf, planar Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А 150 Напряжение насыщения при номинальном...
Цена: по запросу
Описание STGW45HF60WDB Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.9 Управляющее напряжение,В 5.75 Мощность макс.,Вт 250 Крутизна характеристики,...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу