IGBT (БТИЗ) транзисторы

Главная/Дискретные полупроводники/Транзисторы/IGBT (БТИЗ) транзисторы

CM100TX-24S, биполярный транзистор igbt, 100 а, 1200 в

В наличии

8 616.13 ₽

CM1200DC-34N, igbt модуль 2 элемента 1200a 1700v

Цена: по запросу

CM150DX-24S, модуль igbt cm150dx-24s mit

5 919.88 ₽

CM150DX-34SA, биполярный транзистор igbt, 150 а, 1700 в

В наличии

3 877.88 ₽

CM150DY-24A, биполярный транзистор igbt, 150a, 1200v

Цена: по запросу

CM150DY-24T, модуль igbt силовой

3 865.77 ₽

CM150DY-34T, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM200DU-24F, биполярный транзистор igbt, 200a, 1200v

Цена: по запросу

CM200DU-24NFH, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM200DX-24S, модуль igbt cm200dx-24s mit

Цена: по запросу

CM200DY-12H, биполярный транзистор igbt, 200a, 600v

Цена: по запросу

Описание CM200DY-12H Характеристики Структура полумост Наличие схем управления/защиты в составе модуля нет Макс.напр.к-э,В 600 Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200 Максимально допустимый импульсный ток э,А 400 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/...