Москва
 
+7(495)740-30-77

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
20
SKM100GB12T4, биполярный транзистор igbt
SKM100GB12T4, биполярный транзистор igbt
12 532.58 ₽
SKM100GB12T4G, биполярный транзистор igbt
SKM100GB12T4G, биполярный транзистор igbt
В наличии
6 042.91 ₽
SKM150GAL12T4, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 150 а
SKM150GAL12T4, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 150 а
В наличии
4 674.17 ₽
SKM200GB12E4, igbt модуль, 1200 в, 314 а
SKM200GB12E4, igbt модуль, 1200 в, 314 а
В наличии
10 839.91 ₽
SKM200GB12T4, модуль силовой igbt n-канальный 1200в 313a 7-pin
SKM200GB12T4, модуль силовой igbt n-канальный 1200в 313a 7-pin
В наличии
8 183.78 ₽
SKM300GB12E4, биполярный транзистор igbt
Цена: по запросу
SKM300GB12T4, модуль igbt силовой
SKM300GB12T4, модуль igbt силовой
Цена: по запросу
SKM400GAL12T4, биполярный транзистор igbt
Цена: по запросу
SKM400GB125D, биполярный транзистор igbt, 1200в, 400а
SKM400GB125D, биполярный транзистор igbt, 1200в, 400а
Цена: по запросу
SKM50GB12T4, биполярный транзистор igbt, 840 вт
SKM50GB12T4, биполярный транзистор igbt, 840 вт
В наличии
4 278.18 ₽
SKM75GB12T4, биполярный транзистор igbt, 580 вт
SKM75GB12T4, биполярный транзистор igbt, 580 вт
В наличии
4 125.57 ₽
SKM75GB176D, биполярный транзистор igbt, n-канальный, 1.7 кв, 80 а
SKM75GB176D, биполярный транзистор igbt, n-канальный, 1.7 кв, 80 а
Цена: по запросу
SKM75GB17E4, силовой модуль igbt n-канальный 1700в 88а
SKM75GB17E4, силовой модуль igbt n-канальный 1700в 88а
В наличии
4 695.32 ₽
SKM900GA12E4, биполярный транзистор igbt
Цена: по запросу
SKW30N60, биполярный транзистор igbt, 600 в, 41 а, 250 вт
SKW30N60, биполярный транзистор igbt, 600 в, 41 а, 250 вт
Цена: по запросу
SKW30N60HS, биполярный транзистор igbt, 600 в, 41 а, 250 вт
SKW30N60HS, биполярный транзистор igbt, 600 в, 41 а, 250 вт
Цена: по запросу
STGB10H60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 115 вт
STGB10H60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 115 вт
Цена: по запросу
STGB10NB37LZ, биполярный транзистор igbt, 375 в, 20 а, 125 вт
STGB10NB37LZ, биполярный транзистор igbt, 375 в, 20 а, 125 вт
Цена: по запросу
Описание STGB10NB37LZ Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 425 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 2.4 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 18...
STGB14NC60KDT4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 14 а, 80 вт
STGB14NC60KDT4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 14 а, 80 вт
Цена: по запросу
STGB15H60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30 а, 115 вт
STGB15H60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30 а, 115 вт
Цена: по запросу
Показать еще 20 товаров