Москва
 
+7(495)740-30-77

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
16
IRGS14C40LTRLP, биполярный транзистор igbt, 400 в, 14 а, 125 вт
IRGS14C40LTRLP, биполярный транзистор igbt, 400 в, 14 а, 125 вт
В наличии
$5.11
IRGS14C40LTRLP, биполярный транзистор igbt, 430 в, 20 а, 125 вт
IRGS14C40LTRLP, биполярный транзистор igbt, 430 в, 20 а, 125 вт
Цена: по запросу
IRGS30B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт
IRGS30B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт
Цена: по запросу
IRGS4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 160 вт
IRGS4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 160 вт
Цена: по запросу
Описание IRGS4045DPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 12 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S 5.8...
IRGS4062DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 48 а, 250 вт
IRGS4062DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 48 а, 250 вт
Цена: по запросу
IRGS4610DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 77 вт
IRGS4610DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 77 вт
Цена: по запросу
IRGS4615DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 99 вт
IRGS4615DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 99 вт
Цена: по запросу
Описание IRGS4615DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 99 Крутизна характеристики, S...
IRGS6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 90 вт
IRGS6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 90 вт
Цена: по запросу
IRGS8B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 167 вт
IRGS8B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 167 вт
Цена: по запросу
IRGSL4062DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 48 а, 250 вт
IRGSL4062DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 48 а, 250 вт
Цена: по запросу
Описание IRGSL4062DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 48 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 250 Крутизна характеристики,...
ISL9V2040D3ST, биполярный транзистор igbt, 430 в, 10 а, 130 вт
ISL9V2040D3ST, биполярный транзистор igbt, 430 в, 10 а, 130 вт
Цена: по запросу
ISL9V3040D3ST, биполярный транзистор igbt, 430 в, 21 а, 150 вт
ISL9V3040D3ST, биполярный транзистор igbt, 430 в, 21 а, 150 вт
Цена: по запросу
ISL9V3040P3, биполярный транзистор igbt, 430 в, 21 а, 150 вт
ISL9V3040P3, биполярный транзистор igbt, 430 в, 21 а, 150 вт
Цена: по запросу
ISL9V3040S3ST, биполярный транзистор igbt, 430 в, 21 а, 150 вт
ISL9V3040S3ST, биполярный транзистор igbt, 430 в, 21 а, 150 вт
Цена: по запросу
Описание ISL9V3040S3ST Корпус TO263 Технология/семейство ignition Наличие встроенного диода нет Максимальное напряжение КЭ ,В 430 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 21 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 150 Время...
ISL9V5036S3ST, биполярный транзистор igbt, 390 в, 46 а, 250 вт
ISL9V5036S3ST, биполярный транзистор igbt, 390 в, 46 а, 250 вт
Цена: по запросу
ISL9V5045S3ST, биполярный транзистор igbt, 480 в, 51 а, 300 вт
ISL9V5045S3ST, биполярный транзистор igbt, 480 в, 51 а, 300 вт
Цена: по запросу
Показать еще 16 товаров