Москва
 
+7(495)740-30-77

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
128
FGAF40N60SMD, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 79 вт
FGAF40N60SMD, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 79 вт
Цена: по запросу
FGH75N60UFTU, биполярный транзистор igbt, 600 в, 150 а, 452 вт
FGH75N60UFTU, биполярный транзистор igbt, 600 в, 150 а, 452 вт
Цена: по запросу
FGH75T65UPD, биполярный транзистор igbt, 650 в, 150 а, 375 вт
FGH75T65UPD, биполярный транзистор igbt, 650 в, 150 а, 375 вт
Цена: по запросу
FGHL50T65SQ, транзистор igbt одиночный
FGHL50T65SQ, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
FGL60N100BNTD, биполярный транзистор igbt, 1000 в, 60 а, 180 вт
FGL60N100BNTD, биполярный транзистор igbt, 1000 в, 60 а, 180 вт
Цена: по запросу
Описание FGL60N100BNTD Корпус TO264 Технология/семейство npt trench Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9...
FGPF4536, биполярный транзистор igbt, 230 в, 50 а, 30 вт
FGPF4536, биполярный транзистор igbt, 230 в, 50 а, 30 вт
Цена: по запросу
FP25R12W2T4BOMA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 25a, 175вт
FP25R12W2T4BOMA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 25a, 175вт
В наличии
4 226.63 ₽
Описание FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 39A 175W Chassis Mount Module Base Product Number FP25R12 -> Configuration Three Phase Inverter Current - Collector (Ic) (Max) 39A Current - Collector Cutoff (Max) 1mA ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095...
FP35R12W2T4BOMA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 35a
FP35R12W2T4BOMA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 35a
В наличии
4 528.77 ₽
FP75R12KE3BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 a, 355вт
FP75R12KE3BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 a, 355вт
В наличии
38 814.83 ₽
Описание FP75R12KE3BOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...
FS75R12KE3BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в 105 а 350 вт
FS75R12KE3BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в 105 а 350 вт
В наличии
24 644.85 ₽
Описание FS75R12KE3BOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...
FS820R08A6P2BBPSA1, igbt модуль n-канальный 750в 450а 714вт автомобильного применения 33-pin ag-hybridd-1 лоток
FS820R08A6P2BBPSA1, igbt модуль n-канальный 750в 450а 714вт автомобильного применения 33-pin ag-hybridd-1 лоток
В наличии
116 882.16 ₽
FS820R08A6P2LBBPSA1, igbt модуль 750b 820а 33-pin hybridd-1
FS820R08A6P2LBBPSA1, igbt модуль 750b 820а 33-pin hybridd-1
В наличии
117 556.41 ₽
GD100CUY120C1S, модуль igbt силовой
3 274.64 ₽
GD100HFU120C1S, igbtмодуль 1200v, 100a 2 in one-package
В наличии
4 466.97 ₽
GD100HFX170C1S, модуль igbt 1700в 168a
GD100HFX170C1S, модуль igbt 1700в 168a
В наличии
4 690.88 ₽
GD100HFY120C1S, igbt модуль 1200в 155а 511вт 150°с
GD100HFY120C1S, igbt модуль 1200в 155а 511вт 150°с
В наличии
3 725.76 ₽
GD150CUY120C1S, модуль igbt 1200в 150а
GD150CUY120C1S, модуль igbt 1200в 150а
В наличии
3 547.26 ₽
GD150HFU120C2S, модуль igbt 1200в 150а
GD150HFU120C2S, модуль igbt 1200в 150а
В наличии
6 757.67 ₽
GD150HFX65C1S, модуль igbt силовой
4 782.60 ₽
GD150HFY120C1S, модуль igbt силовой
4 686.31 ₽
GD200HFU120C2S, модуль igbt 1200в 262а
GD200HFU120C2S, модуль igbt 1200в 262а
В наличии
7 796.66 ₽
GD200HFX170C2S, модуль igbt 1700в 337a
GD200HFX170C2S, модуль igbt 1700в 337a
В наличии
9 604.16 ₽
GD200HFX65C2S, модуль igbt 650в 247a
GD200HFX65C2S, модуль igbt 650в 247a
В наличии
5 922.51 ₽
GD200HFY120C2S, модуль igbt 1200в 200a
GD200HFY120C2S, модуль igbt 1200в 200a
В наличии
7 232.08 ₽
GD225HFX170C6S, модуль igbt силовой
11 785.04 ₽
GD25FFK120C5SP, модуль igbt 1200в 25а
GD25FFK120C5SP, модуль igbt 1200в 25а
6 348.98 ₽
GD300HFU120C2S, модуль igbt 1200в 395а
GD300HFU120C2S, модуль igbt 1200в 395а
В наличии
9 598.64 ₽
GD300HFX120C2S_B36, модуль igbt силовой
8 307.54 ₽
GD300HFX170C2S, igbt модуль 1700b 300а 2 in one-package 62мм
GD300HFX170C2S, igbt модуль 1700b 300а 2 in one-package 62мм
В наличии
11 024.11 ₽
GD300HFX170C6S, igbt модуль 1700b 300а 2 in one-package
12 041.68 ₽
GD300HFX170C6S, igbt модуль 1700b 300а 2 in one-package
GD300HFX170C6S, igbt модуль 1700b 300а 2 in one-package
В наличии
12 041.68 ₽
GD300HFY120C2S, модуль igbt 1200в 600a, 150°c 2.941квт
GD300HFY120C2S, модуль igbt 1200в 600a, 150°c 2.941квт
В наличии
10 288.02 ₽
GD300HFY120C6S, igbt модуль 1200b 300а 2 in one-package
GD300HFY120C6S, igbt модуль 1200b 300а 2 in one-package
В наличии
10 540.28 ₽
GD400HFU120C2S, модуль igbt 1200в 400a
GD400HFU120C2S, модуль igbt 1200в 400a
В наличии
10 371.76 ₽
GD400HFX170C2S, модуль igbt 1700в 648a
GD400HFX170C2S, модуль igbt 1700в 648a
В наличии
11 611.04 ₽
GD400HFY120C2S, модуль силовой igbt полумостовой 1200в, 400а, +175°c
GD400HFY120C2S, модуль силовой igbt полумостовой 1200в, 400а, +175°c
В наличии
8 915.70 ₽
GD40PIY120C5S, модуль igbt силовой
3 307.59 ₽
GD450HFX170C6S, igbt модуль 1700b 450а 2 in one-package
GD450HFX170C6S, igbt модуль 1700b 450а 2 in one-package
В наличии
16 054.19 ₽
GD450HFY120C2S, модуль igbt 1200в 450a, 175°c 2173вт
GD450HFY120C2S, модуль igbt 1200в 450a, 175°c 2173вт
В наличии
11 553.61 ₽
GD450HFY120C6S, igbt модуль 1200b 450а 2 in one-package
13 119.52 ₽
GD50PIY120C6S, модуль igbt 1200в 50a
GD50PIY120C6S, модуль igbt 1200в 50a
В наличии
8 051.68 ₽
GD600HFX170C6S, igbt модуль 1700b 600а 2 in one-package
GD600HFX170C6S, igbt модуль 1700b 600а 2 in one-package
В наличии
23 397.77 ₽
GD600HFY120C2S, igbt модуль 1200b 600а
GD600HFY120C2S, igbt модуль 1200b 600а
В наличии
14 829.66 ₽
GD600HFY120C6S, igbt модуль 1200b 600а 2 in one-package
GD600HFY120C6S, igbt модуль 1200b 600а 2 in one-package
В наличии
16 845.33 ₽
GD600SGX170C2S, модуль igbt силовой
14 532.68 ₽
GD600SGY120C2S, модуль igbt силовой
11 448.79 ₽
GD650HFX170P1S, модуль igbt силовой
25 978.53 ₽
GD75PIY120C6S, igbt модуль 1200b 75а
GD75PIY120C6S, igbt модуль 1200b 75а
В наличии
6 971.93 ₽
GD800HFX170A3S, модуль igbt силовой
62 898.43 ₽
GD900HFX120P1SA, модуль igbt силовой
29 509.34 ₽
GT50JR22, биполярный транзистор igbt, 600 в, 50 а, 230 вт
GT50JR22, биполярный транзистор igbt, 600 в, 50 а, 230 вт
В наличии
111.72 ₽
Описание GT50JR22 IGBT Discretes, Toshiba Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность,...
HF300H170, модуль силовой igbt 1700в/300a
HF300H170, модуль силовой igbt 1700в/300a
В наличии
10 310.86 ₽
HFGM100A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/100a
HFGM100A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/100a
В наличии
2 847.15 ₽
HFGM150D12AV1, модуль силовой igbt 1200в/150a
HFGM150D12AV1, модуль силовой igbt 1200в/150a
В наличии
4 384.42 ₽
HFGM195A 600V, модуль силовой igbt 600в
HFGM195A 600V, модуль силовой igbt 600в
В наличии
3 062.33 ₽
HFGM200A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/200a
HFGM200A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/200a
В наличии
4 777.72 ₽
HFGM300A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/300a
HFGM300A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/300a
В наличии
6 485.47 ₽
HFGM450A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/450a
HFGM450A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/450a
В наличии
7 550.08 ₽
HGTG11N120CND, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 43 а, 298 вт
HGTG11N120CND, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 43 а, 298 вт
Цена: по запросу
HGTG12N60C3D, транзистор igbt одиночный
HGTG12N60C3D, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
HGTG20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт, 200 кгц
HGTG20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт, 200 кгц
Цена: по запросу
Описание HGTG20N60A4 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 290 Крутизна характеристики, S -...
HGTP10N120BN, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 35 а, 298 вт
HGTP10N120BN, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 35 а, 298 вт
Цена: по запросу
HGTP12N60A4D, биполярный транзистор igbt, 600 в, 54 а, 167 вт
HGTP12N60A4D, биполярный транзистор igbt, 600 в, 54 а, 167 вт
Цена: по запросу
HGTP14N36GVL, биполярный транзистор igbt, 390 в, 14 а, 100 вт
HGTP14N36GVL, биполярный транзистор igbt, 390 в, 14 а, 100 вт
Цена: по запросу
HGTP20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт
HGTP20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт
Цена: по запросу
HGTP3N60A4, транзистор igbt одиночный
HGTP3N60A4, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGCM06F60GAXKMA1, mодуль igbt силовой трехфазный 6а 600в pg-mdip-24
IGCM06F60GAXKMA1, mодуль igbt силовой трехфазный 6а 600в pg-mdip-24
В наличии
749.28 ₽
IGP40N65H5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
IGP40N65H5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
В наличии
457.89 ₽
IGW03N120H2FKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGW100N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGW20N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt 600в 20а to-247
IGW20N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt 600в 20а to-247
В наличии
378.16 ₽
IGW25N120H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 50 а, 326 вт
IGW25N120H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 50 а, 326 вт
Цена: по запросу
IGW30N60TFKSA1, транзистор igbt одиночный
IGW30N60TFKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGW30N65L5XKSA1, транзистор igbt одиночный
IGW30N65L5XKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGW40N120H3FKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGW40N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 306 вт
IGW40N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 80 а, 306 вт
В наличии
600.09 ₽
IGW40N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
IGW40N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
Цена: по запросу
IGW40N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
IGW40N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
Цена: по запросу
IGW40T120FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 а, 270 вт
IGW40T120FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 а, 270 вт
В наличии
719.56 ₽
Описание IGW40T120FKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery...
IGW50N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 100 а, 333 вт
IGW50N60H3FKSA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 100 а, 333 вт
Цена: по запросу
IGW50N60TFKSA1, транзистор igbt одиночный
IGW50N60TFKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGW50N60TPXKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IGW50N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
IGW50N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
Цена: по запросу
IGW50N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
IGW50N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
Цена: по запросу
IGW60N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IHW30N120R5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 330 вт
IHW30N120R5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 330 вт
В наличии
631.76 ₽
IHW40N135R5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а 394 вт
IHW40N135R5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а 394 вт
В наличии
412.78 ₽
IKB40N65ES5ATMA1, транзистор igbt одиночный
IKB40N65ES5ATMA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKD03N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 5 а, 53,6вт
IKD03N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 5 а, 53,6вт
Цена: по запросу
IKD04N60RATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 8 а, 75000 мвт
IKD04N60RATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 8 а, 75000 мвт
Цена: по запросу
IKD06N60RATMA1, igbt 600v 12a 100w to252-3
IKD06N60RATMA1, igbt 600v 12a 100w to252-3
Цена: по запросу
IKD06N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 100000 мвт
IKD06N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 100000 мвт
Цена: по запросу
IKD10N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 150000 мвт
IKD10N60RFATMA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 150000 мвт
Цена: по запросу
IKP06N60TXKSA1, igbt 600v 12a 88w to220-3
IKP06N60TXKSA1, igbt 600v 12a 88w to220-3
Цена: по запросу
IKP08N65F5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 18 а, 70 вт
IKP08N65F5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 18 а, 70 вт
Цена: по запросу
IKP08N65H5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 18 а, 70 вт
IKP08N65H5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 18 а, 70 вт
Цена: по запросу
IKP10N60TXKSA1, транзистор igbt одиночный
IKP10N60TXKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKP15N60TXKSA1, транзистор igbt одиночный
IKP15N60TXKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKP15N65F5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 30 а, 105 вт
IKP15N65F5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 30 а, 105 вт
Цена: по запросу
Описание IKP15N65F5XKSA1 Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery...
IKP15N65H5XKSA1, транзистор igbt одиночный
IKP15N65H5XKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKP20N60H3XKSA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а
IKP20N60H3XKSA1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а
Цена: по запросу
IKP20N60TXKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKP30N65F5XKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKP40N65F5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
IKP40N65F5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
Цена: по запросу
IKP40N65H5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
IKP40N65H5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
Цена: по запросу
IKQ40N120CH3XKSA1, транзистор igbt одиночный
IKQ40N120CH3XKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKQ40N120CT2XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а 500 вт
IKQ40N120CT2XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а 500 вт
Цена: по запросу
IKQ50N120CH3XKSA1, транзистор igbt 1200в 100a 652вт
IKQ50N120CH3XKSA1, транзистор igbt 1200в 100a 652вт
В наличии
1 127.55 ₽
IKQ75N120CS6XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75а
IKQ75N120CS6XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75а
Цена: по запросу
IKW15T120FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а
IKW15T120FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а
Цена: по запросу
IKW20N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный
IKW20N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKW30N65H5XKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKW40N65ES5XKSA1, транзистор igbt, 650в, 50а, 115вт, to247-3
IKW40N65ES5XKSA1, транзистор igbt, 650в, 50а, 115вт, to247-3
Цена: по запросу
IKW40N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
IKW40N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
Цена: по запросу
Описание IKW40N65F5FKSA1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS EU RoHS Compliant ECCN (US) EAR99 Part Status Active Channel Type N Configuration Single Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 650 Maximum Gate Emitter Voltage (V) ±20...
IKW40T120FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 а, 270 вт
IKW40T120FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 а, 270 вт
Цена: по запросу
IKW50N60DTPXKSA1, транзистор igbt одиночный
IKW50N60DTPXKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKW50N65EH5XKSA1, транзистор igbt одиночный
IKW50N65EH5XKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKW50N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
IKW50N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
Цена: по запросу
IKW50N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
IKW50N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
Цена: по запросу
IKW50N65WR5XKSA1, транзистор igbt одиночный
IKW50N65WR5XKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKW60N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKW75N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный
IKW75N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKW75N65EL5XKSA1, транзистор биполярный с изолированным затвором igbt 650в 75a с защитным диодом to247-3
IKW75N65EL5XKSA1, транзистор биполярный с изолированным затвором igbt 650в 75a с защитным диодом to247-3
Цена: по запросу
IKY40N120CS6XKSA1, транзистор igbt одиночный
IKY40N120CS6XKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKY75N120CH3XKSA1, транзистор igbt одиночный
IKY75N120CH3XKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKZA50N65RH5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650в 50а
Цена: по запросу
IRG4BC10KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 9 а, 38 вт
IRG4BC10KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 9 а, 38 вт
Цена: по запросу
IRG4BC20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 60 вт
IRG4BC20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 60 вт
Цена: по запросу
Описание IRG4BC20KDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
Показать еще 128 товаров